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KM736S849T-75

更新时间： 2024-11-15 14:51:55
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 时钟静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
20页 460K
描述
ZBT SRAM, 512KX18, 4.2ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100

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KM736S849T-75 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：QFP包装说明：LQFP, QFP100,.63X.87
针数：100Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：3A991.B.2.AHTS代码：8542.32.00.41
风险等级：5.92最长访问时间：4.2 ns
其他特性：SELF-TIMED WRITE CYCLE; POWER DOWN OPTION最大时钟频率 (fCLK)：133 MHz
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-PQFP-G100
JESD-609代码：e0长度：20 mm
内存密度：9437184 bit内存集成电路类型：ZBT SRAM
内存宽度：18功能数量：1
端子数量：100字数：524288 words
字数代码：512000工作模式：SYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：512KX18输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：LQFP
封装等效代码：QFP100,.63X.87封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLATPACK, LOW PROFILE并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：2.5 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.6 mm
最大待机电流：0.02 A最小待机电流：2.38 V
子类别：SRAMs最大压摆率：0.3 mA
最大供电电压 (Vsup)：2.625 V最小供电电压 (Vsup)：2.375 V
标称供电电压 (Vsup)：2.5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子节距：0.65 mm端子位置：QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：14 mm
Base Number Matches：1

KM736S849T-75 数据手册

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KM736S849  
KM718S949  
256Kx36 & 512Kx18 Pipelined NtRAMTM  
Document Title  
256Kx36 & 512Kx18-Bit Pipelined NtRAMTM  
Revision History  
History  
Rev.No.  
Draft Date  
Remark  
1. Initial document.  
0.0  
0.1  
September. 1997  
November. 1997  
Preliminary  
Preliminary  
1. Changed speed bin from 167MHz to 150MHz  
2. Changed DC Parameters;  
ICC : from 400mA to 450mA , ISB : from 60mA to 20mA  
ISB2 : from 50mA to 85mA  
1. Changed speed bin from 150MHz to 167MHz  
2. Changed Power from 3.3V to 2.5V  
0.2  
March. 11. 1998  
Preliminary  
3. Changed N.C pins to Power and ZZ Pin #14, #16, #64, #66  
4. Changed some control pin names.  
from CEN to CKE, from BWEx to BWx  
5. Modify absolute maximum ratings  
VDD ; from 4.0V to 3.6V, VIN ; from 4.6V to 3.6V  
6. Changed DC parameters  
ISB ; from 20mA to 80mA, ISB2 ; from 85mA to 10mA  
VOL ; from 0.4V to 0.2V, VOH ; from 2.4V to 2.0V  
VIL ; from 0.8V to 0.7V, VIH ; from 2.0V to 1.7V  
7. ADD the sleep mode timing and characteristics  
CKE controlled timing and CS controlled timing  
1. Removed speed bin 167MHz  
0.3  
April. 11. 1998  
Preliminary  
2.Changed AC parameters  
tHZOE ; from 4.0 to 3.5 , tHZC;from 4.0 to 3.5 at -75  
tHZOE ; from 5.0 to 3.5 , tHZC;from 5.0 to 3.5 , tCL/H; 4.0 to 3.0  
at -10  
3.Modify Sleep Mode Waveform.  
Changed Sleep Mode Electrical Characteristics .  
tPDS ;from Max 2cycle to Min 2cycle  
tPUS ; from Max 2cycle to Min 2cycle  
1.Modify from ADV to ADV at timing.  
0.4  
0.5  
June. 02. 1998  
Aug. 19. 1998  
Preliminary  
Preliminary  
2.ADD the Trade Mark( NtRAMTM  
)
1. Changed DC parameters  
ISB1; from 10mA to 20mA, ISB2 ; from 10mA to 20mA  
1. Changed tCD,tOE from 4.0ns to 4.2ns at -75.  
0.6  
0.7  
Sep. 28. 1998  
Nov. 10. 1998  
Preliminary  
Preliminary  
1. Changed DC condition at Icc and parameters  
ICC ; from 420mA to 320mA at -67 , from 370mA to 300mA at -75  
from 300mA to 250mA at -10.  
ISB ; from 70mA to 60mA at -67 , from 60mA to 50mA at -75  
from 50mA to 40mA at -10.  
1.Changed VOL Max value from 0.2V to 0.4V .  
1. Add 119BGA(7x17 Ball Grid Array Package) .  
1. Final spec release  
0.8  
0.9  
1.0  
Dec. 23. 1998  
Mar. 03. 1999  
April. 01. 1999  
Preliminary  
Preliminary  
Final  
The attached data sheets are prepared and approved by SAMSUNG Electronics. SAMSUNG Electronics CO., LTD. reserve the right to change the  
specifications. SAMSUNG Electronics will evaluate and reply to your requests and questions on the parameters of this device. If you have any ques-  
tions, please contact the SAMSUNG branch office near your office, call or contact Headquarters.  
- 1 -  
April 1999  
Rev 1.0  
1234567...20

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
KM736S949G-60 SAMSUNG

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 		ZBT SRAM, 512KX36, 5ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100
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