5秒后页面跳转
KM681000CLTI-5 PDF预览

KM681000CLTI-5

更新时间: 2024-11-25 20:52:43
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
2页 78K
描述
Standard SRAM, 128KX8, 55ns, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, TSOP1-32

KM681000CLTI-5 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:TSOP1
包装说明:TSOP1,针数:32
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.82
Is Samacsys:N最长访问时间:55 ns
JESD-30 代码:R-PDSO-G32长度:18.4 mm
内存密度:1048576 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8功能数量:1
端口数量:1端子数量:32
字数:131072 words字数代码:128000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:128KX8
输出特性:3-STATE可输出:YES
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSOP1
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行:PARALLEL认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.2 mm最小待机电流:2 V
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子形式:GULL WING端子节距:0.5 mm
端子位置:DUAL宽度:8 mm
Base Number Matches:1

KM681000CLTI-5 数据手册

 浏览型号KM681000CLTI-5的Datasheet PDF文件第2页 

与KM681000CLTI-5相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
KM681000CLTI-5L SAMSUNG

获取价格

Standard SRAM, 128KX8, 55ns, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, TSOP1-32
KM681000CLTI-7 SAMSUNG

获取价格

Standard SRAM, 128KX8, 70ns, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, TSOP1-32
KM681000CLTI-7L SAMSUNG

获取价格

128K x8 bit Low Power CMOS Static RAM
KM681000E SAMSUNG

获取价格

128Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM
KM681000EL SAMSUNG

获取价格

128Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM
KM681000ELG-5 SAMSUNG

获取价格

128Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM
KM681000ELG-5L SAMSUNG

获取价格

128Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM
KM681000ELG-5LT SAMSUNG

获取价格

暂无描述
KM681000ELG-7 SAMSUNG

获取价格

128Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM
KM681000ELG-7L SAMSUNG

获取价格

128Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM