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KM48V8100BJ-6 PDF预览

KM48V8100BJ-6

更新时间： 2024-11-02 15:42:19
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
20页 341K
描述
Fast Page DRAM, 8MX8, 60ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32

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KM48V8100BJ-6 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SOJ
包装说明：SOJ,针数：32
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.02风险等级：5.84
Is Samacsys：N访问模式：FAST PAGE
最长访问时间：60 ns其他特性：RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
JESD-30 代码：R-PDSO-J32长度：20.96 mm
内存密度：67108864 bit内存集成电路类型：FAST PAGE DRAM
内存宽度：8功能数量：1
端口数量：2端子数量：32
字数：8388608 words字数代码：8000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：8MX8
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SOJ
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
认证状态：Not Qualified座面最大高度：3.76 mm
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：3 V
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子形式：J BEND端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL宽度：10.16 mm
Base Number Matches：1

KM48V8100BJ-6 数据手册

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KM48V8000B,KM48V8100B  
CMOS DRAM  
8M x 8bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode  
DESCRIPTION  
This is a family of 8,388,608 x 8 bit Fast Page Mode CMOS DRAMs. Fast Page Mode offers high speed random access of memory cells  
within the same row. Refresh cycle(4K Ref. or 8K Ref.), access time (-45, -5 or -6), power consumption(Normal or Low power) are  
optional features of this family. All of this family have CAS-before-RAS refresh, RAS-only refresh and Hidden refresh capabilities. Fur-  
thermore, Self-refresh operation is available in L-version. This 8Mx8 Fast Page Mode DRAM family is fabricated using Samsung¢s  
advanced CMOS process to realize high band-width, low power consumption and high reliability.  
• Fast Page Mode operation  
FEATURES  
• CAS-before-RAS refresh capability  
•
Part Identification  
• RAS-only and Hidden refresh capability  
• Self-refresh capability (L-ver only)  
• Fast parallel test mode capability  
• LVTTL(3.3V) compatible inputs and outputs  
• Early Write or output enable controlled write  
• JEDEC Standard pinout  
- KM48V8000B/B-L(3.3V, 8K Ref.)  
- KM48V8100B/B-L(3.3V, 4K Ref.)  
•
Active Power Dissipation  
Unit : mW  
• Available in Plastic SOJ and TSOP(II) packages  
• +3.3V±0.3V power supply  
Speed  
-45  
-5  
8K  
4K  
360  
324  
288  
468  
432  
396  
-6  
• Refresh Cycles  
Part  
NO.  
Refresh  
cycle  
Refresh time  
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM  
Normal  
L-ver  
KM48V8000B*  
KM48V8100B  
8K  
4K  
RAS  
CAS  
W
64ms  
128ms  
Vcc  
Vss  
Control  
Clocks  
VBB Generator  
Row Decoder  
* Access mode & RAS only refresh mode  
: 8K cycle/64ms(Normal), 8K cycle/128ms(L-ver.)  
CAS-before-RAS & Hidden refresh mode  
Refresh Timer  
Data in  
Buffer  
: 4K cycle/64ms(Normal), 4K cycle/128ms(L-ver.)  
Refresh Control  
Refresh Counter  
Memory Array  
8,388,608 x 8  
Cells  
DQ0  
to  
DQ7  
•
Performance Range  
Speed  
Data out  
Buffer  
Row Address Buffer  
Col. Address Buffer  
tRAC  
45ns  
50ns  
60ns  
tCAC  
12ns  
13ns  
15ns  
tRC  
tPC  
A0~A12  
(A0~A11)*1  
OE  
-45  
-5  
80ns  
90ns  
110ns  
31ns  
35ns  
40ns  
A0~A9  
(A0~A10)*1  
Column Decoder  
-6  
Note) *1 : 4K Refresh  
SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. reserves the right to  
change products and specifications without notice.  
1234567...20

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
KM48V8100BJ-L5 SAMSUNG

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 		Fast Page DRAM, 8MX8, 50ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32
KM48V8100BJ-L6 SAMSUNG

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 		Fast Page DRAM, 8MX8, 60ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32
KM48V8100BK-5 SAMSUNG

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 		Fast Page DRAM, 8MX8, 50ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32
KM48V8100BK-6 SAMSUNG

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 		Fast Page DRAM, 8MX8, 60ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32
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 		Fast Page DRAM, 8MX8, 60ns, CMOS, PDSO32
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 		Fast Page DRAM, 8MX8, 50ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-32
KM48V8100BS-5K SAMSUNG

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 		Fast Page DRAM, 8MX8, 50ns, CMOS, PDSO32
KM48V8100BS-6KM SAMSUNG

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 		Fast Page DRAM, 8MX8, 60ns, CMOS, PDSO32
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