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KM48V8100BS-6T

更新时间: 2024-11-03 08:44:07
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
20页 790K
描述
Fast Page DRAM, 8MX8, 60ns, CMOS, PDSO32

KM48V8100BS-6T 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete包装说明:TSOP, TSOP32,.46
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.92
最长访问时间:60 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-G32JESD-609代码:e0
内存密度:67108864 bit内存集成电路类型:FAST PAGE DRAM
内存宽度:8湿度敏感等级:3
端子数量:32字数:8388608 words
字数代码:8000000最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:8MX8
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP封装等效代码:TSOP32,.46
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度(摄氏度):260电源:3.3 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:4096
自我刷新:NO最大待机电流:0.0005 A
子类别:DRAMs最大压摆率:0.11 mA
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:GULL WING
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:40

KM48V8100BS-6T 数据手册

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