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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | TSOP, TSOP32,.46 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.92 |
| Is Samacsys： | N | 最长访问时间： | 60 ns |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-PDSO-G32 |
| JESD-609代码： | e0 | 内存密度： | 67108864 bit |
| 内存集成电路类型： | FAST PAGE DRAM | 内存宽度： | 8 |
| 湿度敏感等级： | 3 | 端子数量： | 32 |
| 字数： | 8388608 words | 字数代码： | 8000000 |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 8MX8 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | TSOP |
| 封装等效代码： | TSOP32,.46 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 电源： | 3.3 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 刷新周期： | 4096 | 自我刷新： | NO |
| 最大待机电流： | 0.0005 A | 子类别： | DRAMs |
| 最大压摆率： | 0.1 mA | 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| KM48V8100CS-6T | SAMSUNG |
获取价格 |
Fast Page DRAM, 8MX8, 60ns, CMOS, PDSO32 |
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| KM48V8100CS-L6K | SAMSUNG |
获取价格 |
Fast Page DRAM, 8MX8, 60ns, CMOS, PDSO32 |
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| KM48V8100CS-L6T | SAMSUNG |
获取价格 |
Fast Page DRAM, 8MX8, 60ns, CMOS, PDSO32 |
|
| KM48V8100J-6 | SAMSUNG |
获取价格 |
Fast Page DRAM, 8MX8, 60ns, CMOS, PDSO34, 0.500 INCH, PLASTIC, SOJ-34 |
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| KM48V8104AS-5 | SAMSUNG |
获取价格 |
EDO DRAM, 8MX8, 50ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-32 |
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| KM48V8104B | SAMSUNG |
获取价格 |
8M x 8bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
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| KM48V8104BK-45 | SAMSUNG |
获取价格 |
EDO DRAM, 8MX8, 45ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32 |
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| KM48V8104BK-5K | SAMSUNG |
获取价格 |
EDO DRAM, 8MX8, 50ns, CMOS, PDSO32 |
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| KM48V8104BK-5KM | SAMSUNG |
获取价格 |
EDO DRAM, 8MX8, 50ns, CMOS, PDSO32 |
|
| KM48V8104BK-5T | SAMSUNG |
获取价格 |
EDO DRAM, 8MX8, 50ns, CMOS, PDSO32 |
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