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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | TSOP, TSOP32,.46 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.92 |
| 最长访问时间： | 50 ns | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G32 | JESD-609代码： | e0 |
| 内存密度： | 67108864 bit | 内存集成电路类型： | FAST PAGE DRAM |
| 内存宽度： | 8 | 湿度敏感等级： | 3 |
| 端子数量： | 32 | 字数： | 8388608 words |
| 字数代码： | 8000000 | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 8MX8 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | TSOP | 封装等效代码： | TSOP32,.46 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 电源： | 3.3 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 刷新周期： | 4096 |
| 自我刷新： | NO | 最大待机电流： | 0.0005 A |
| 子类别： | DRAMs | 最大压摆率： | 0.11 mA |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| KM48V8100CS-6 | SAMSUNG |
获取价格 |
Fast Page DRAM, 8MX8, 60ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-32 |
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| KM48V8100CS-6K | SAMSUNG |
获取价格 |
Fast Page DRAM, 8MX8, 60ns, CMOS, PDSO32 |
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| KM48V8100CS-6T | SAMSUNG |
获取价格 |
Fast Page DRAM, 8MX8, 60ns, CMOS, PDSO32 |
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| KM48V8100CS-L6K | SAMSUNG |
获取价格 |
Fast Page DRAM, 8MX8, 60ns, CMOS, PDSO32 |
|
| KM48V8100CS-L6T | SAMSUNG |
获取价格 |
Fast Page DRAM, 8MX8, 60ns, CMOS, PDSO32 |
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| KM48V8100J-6 | SAMSUNG |
获取价格 |
Fast Page DRAM, 8MX8, 60ns, CMOS, PDSO34, 0.500 INCH, PLASTIC, SOJ-34 |
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| KM48V8104AS-5 | SAMSUNG |
获取价格 |
EDO DRAM, 8MX8, 50ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-32 |
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| KM48V8104B | SAMSUNG |
获取价格 |
8M x 8bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
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| KM48V8104BK-45 | SAMSUNG |
获取价格 |
EDO DRAM, 8MX8, 45ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32 |
|
| KM48V8104BK-5K | SAMSUNG |
获取价格 |
EDO DRAM, 8MX8, 50ns, CMOS, PDSO32 |
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