生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | TSOP2 |
包装说明: | SOP, | 针数: | 26 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.02 | 风险等级: | 5.84 |
访问模式: | FAST PAGE | 最长访问时间: | 60 ns |
其他特性: | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH | JESD-30 代码: | R-PDSO-G24 |
内存密度: | 16777216 bit | 内存集成电路类型: | FAST PAGE DRAM |
内存宽度: | 1 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 2 | 端子数量: | 24 |
字数: | 16777216 words | 字数代码: | 16000000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 16MX1 | |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | SOP |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
认证状态: | Not Qualified | 最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup): | 3 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | DUAL | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
KM41V4000BJ-10 | SAMSUNG |
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Fast Page DRAM, 4MX1, 100ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/20 | |
KM41V4000BLJ-10 | SAMSUNG |
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Fast Page DRAM, 4MX1, 100ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/20 | |
KM41V4000BLJ-7 | SAMSUNG |
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Fast Page DRAM, 4MX1, 70ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/20 | |
KM41V4000BLLJ-7 | SAMSUNG |
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Fast Page DRAM, 4MX1, 70ns, CMOS, PDSO20, PLASTIC, SOJ-26/20 | |
KM41V4000BLLJ-8 | SAMSUNG |
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Fast Page DRAM, 4MX1, 80ns, CMOS, PDSO20, PLASTIC, SOJ-26/20 | |
KM41V4000BLLVR-8 | SAMSUNG |
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Fast Page DRAM, 4MX1, 80ns, CMOS, PDSO20, PLASTIC, REVERSE, TSOP1-24/20 | |
KM41V4000BLP-10 | SAMSUNG |
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Fast Page DRAM, 4MX1, 100ns, CMOS, PDIP18, PLASTIC, DIP-18 | |
KM41V4000BLV-10 | SAMSUNG |
获取价格 |
Fast Page DRAM, 4MX1, 100ns, CMOS, PDSO20, PLASTIC, TSOP1-24/20 | |
KM41V4000BLZ-7 | SAMSUNG |
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Fast Page DRAM, 4MX1, 70ns, CMOS, PZIP20, PLASTIC, ZIP-20 | |
KM41V4000CJ-7 | SAMSUNG |
获取价格 |
Fast Page DRAM, 4MX1, 70ns, CMOS, PDSO20, SOJ-20 |