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KM41V4000CLTR-7

更新时间： 2024-11-07 14:51:51

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		动态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
8页	254K
描述
Fast Page DRAM, 4MX1, 70ns, CMOS, PDSO20, PLASTIC, REVERSE, TSOP2-20

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KM41V4000CLTR-7 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP	包装说明：	TSOP2-R, TSSOP20/26,.36
针数：	20	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.02
风险等级：	5.92	访问模式：	FAST PAGE
最长访问时间：	70 ns	其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型：	SEPARATE	JESD-30 代码：	R-PDSO-G20
JESD-609代码：	e0	长度：	17.14 mm
内存密度：	4194304 bit	内存集成电路类型：	FAST PAGE DRAM
内存宽度：	1	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	20
字数：	4194304 words	字数代码：	4000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	4MX1
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP2-R	封装等效代码：	TSSOP20/26,.36
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
电源：	3.3 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	1024	反向引出线：	YES
座面最大高度：	1.2 mm	自我刷新：	NO
最大待机电流：	0.0001 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.055 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	宽度：	7.62 mm
Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
KM41V4000CP-6	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM, 4MX1, 60ns, CMOS, PDIP20, 0.300 INCH, DIP-20
KM41V4000CP-7	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM, 4MX1, 70ns, CMOS, PDIP20, 0.300 INCH, DIP-20
KM41V4000CP-L6	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM, 4MX1, 60ns, CMOS, PDIP20, 0.300 INCH, DIP-20
KM41V4000CT-7	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM, 4MX1, 70ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, TSOP2-26/20
KM41V4000CT-8	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM, 4MX1, 80ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, TSOP2-26/20
KM41V4000CT-L6	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM, 4MX1, 60ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, TSOP2-26/20
KM41V4000D	SAMSUNG	获取价格	4M x 1Bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode
KM41V4000DJ-6	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM, 4MX1, 60ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/20
KM41V4000DJ-L6	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM, 4MX1, 60ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/20
KM41V4000DJ-L7	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM, 4MX1, 70ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/20