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KM41V4000DT-6

更新时间： 2024-11-07 15:36:23

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		动态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
20页	340K
描述
Fast Page DRAM, 4MX1, 60ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, TSOP2-26/20

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KM41V4000DT-6 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP	包装说明：	TSOP2, TSOP20/26,.36
针数：	20	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.02
风险等级：	5.92	访问模式：	FAST PAGE
最长访问时间：	60 ns	其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型：	SEPARATE	JESD-30 代码：	R-PDSO-G20
JESD-609代码：	e0	长度：	17.14 mm
内存密度：	4194304 bit	内存集成电路类型：	FAST PAGE DRAM
内存宽度：	1	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	20
字数：	4194304 words	字数代码：	4000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	4MX1
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP2	封装等效代码：	TSOP20/26,.36
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	1024
座面最大高度：	1.2 mm	自我刷新：	NO
最大待机电流：	0.0005 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.06 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	7.62 mm	Base Number Matches：	1

KM41V4000DT-6 数据手册

KM41C4000D, KM41V4000D

CMOS DRAM

4M x 1Bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode

DESCRIPTION

This is a family of 4,194,304 x 1bit Fast Page Mode CMOS DRAMs. Fast Page Mode offers high speed random access of memory cells

within the same row. Power supply voltage (+5V or +3.3V), access time (-5, -6 or -7), power consumption(Normal or Low power), and

package type (SOJ or TSOP-II) are optional features of this family. All of this family have CAS-before-RAS refresh, RAS-only refresh and

Hidden refresh capabilities. Furthermore, self-refresh operation is available in Low power version.

This 4Mx1 Fast Page Mode DRAM family is fabricated using Samsung¢s advanced CMOS process to realize high band-width, low power

consumption and high reliability. It may be used as main memory for main frames and mini computers, personal computer and high per-

formance microprocessor systems.

• Fast Page Mode operation

FEATURES

• CAS-before-RAS refresh capability

• Part Identification

• RAS-only and Hidden refresh capability

• Self-refresh capability (3.3V, L-ver only)

• Fast parallel test mode capability

• TTL(5V)/LVTTL(3.3V) compatible inputs and outputs

• Common I/O using early write

- KM41C4000D/D-L(5V, 1K Ref.)

- KM41V4000D/D-L(3.3V, 1K Ref.)

• ActivePowerDissipation

• JEDEC Standard pinout

Unit : mW

• Available in 26(20)-pin SOJ 300mil and TSOP(II)

300mil packages

Speed

-5

3.3V

470

• +5V±10% power supply(5V product)

• +3.3V±0.3V power supply(3.3V product)

-6

220

200

415

-7

360

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM

• Refresh Cycles

RAS

CAS

Vcc

Vss

Control

Clocks

Part

NO.

Refresh

cycle

Refresh Period

VBB Generator

Normal

L-ver

KM41C4000D

KM41V4000D

16ms

128ms

Row Decoder

Refresh Timer

Refresh Control

Data in

Buffer

Memory Array

4,194,304 x1

Cells

Refresh Counter

Row Address Buffer

Col. Address Buffer

• Performance Range

Speed

-5

Remark

tRAC

tCAC

tRC

tPC

50ns 15ns 90ns 35ns 5V only

60ns 15ns 110ns 40ns 5V/3.3V

70ns 20ns 130ns 45ns 5V/3.3V

Data out

Buffer

A0~A9

Column Decoder

-6

-7

SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. reserves the right to

change products and specifications without notice.

12 3 4 5 6 7...20

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与KM41V4000DT-6相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
KM41V4000DT-7	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM, 4MX1, 70ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, TSOP2-26/20
KM41V4000DT-L6	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM, 4MX1, 60ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, TSOP2-26/20
KM41V4000DT-L7	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM, 4MX1, 70ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, TSOP2-26/20
KM4200	FAIRCHILD	获取价格	Dual, Low Cost, +2.7V & +5V, 260MHz Rail-to-Rail Amplifier
KM4200IC8	FAIRCHILD	获取价格	Dual, Low Cost, +2.7V & +5V, 260MHz Rail-to-Rail Amplifier
KM4200IC8TR3	FAIRCHILD	获取价格	Dual, Low Cost, +2.7V & +5V, 260MHz Rail-to-Rail Amplifier
KM4200IC8TR3	ROCHESTER	获取价格	Operational Amplifier, 2 Func, 8000uV Offset-Max, BIPolar, PDSO8, SOIC-8
KM4200IC8TR3_NL	ROCHESTER	获取价格	Operational Amplifier, 2 Func, 8000uV Offset-Max, BIPolar, PDSO8, SOIC-8
KM4200IM8	FAIRCHILD	获取价格	Dual, Low Cost, +2.7V & +5V, 260MHz Rail-to-Rail Amplifier
KM4200IM8TR3	FAIRCHILD	获取价格	Dual, Low Cost, +2.7V & +5V, 260MHz Rail-to-Rail Amplifier

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