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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | TSOP, TSOP50,.46,32 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.92 | 最长访问时间： | 50 ns |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-PDSO-G50 |
| JESD-609代码： | e0 | 内存密度： | 67108864 bit |
| 内存集成电路类型： | EDO DRAM | 内存宽度： | 16 |
| 端子数量： | 50 | 字数： | 4194304 words |
| 字数代码： | 4000000 | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 4MX16 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | TSOP | 封装等效代码： | TSOP50,.46,32 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
| 电源： | 3.3 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 刷新周期： | 4096 | 自我刷新： | YES |
| 最大待机电流： | 0.0002 A | 子类别： | DRAMs |
| 最大压摆率： | 0.12 mA | 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 0.8 mm |
| 端子位置： | DUAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| KM416V4104CS-L5TH | SAMSUNG |
获取价格 |
EDO DRAM, 4MX16, 50ns, CMOS, PDSO50 |
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| KM416V4104CS-L6K | SAMSUNG |
获取价格 |
EDO DRAM, 4MX16, 60ns, CMOS, PDSO50 |
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| KM416V4104CS-L6M | SAMSUNG |
获取价格 |
EDO DRAM, 4MX16, 60ns, CMOS, PDSO50 |
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| KM416V4104CS-L6T | SAMSUNG |
获取价格 |
EDO DRAM, 4MX16, 60ns, CMOS, PDSO50 |
|
| KM416V4104CS-L6TM | SAMSUNG |
获取价格 |
EDO DRAM, 4MX16, 60ns, CMOS, PDSO50 |
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| KM416V4104CS-L6TO | SAMSUNG |
获取价格 |
EDO DRAM, 4MX16, 60ns, CMOS, PDSO50 |
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| KM416V4104CT-45 | SAMSUNG |
获取价格 |
EDO DRAM, 4MX16, 45ns, CMOS, PDSO50, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-50 |
|
| KM416V4104CT-L45 | SAMSUNG |
获取价格 |
EDO DRAM, 4MX16, 45ns, CMOS, PDSO50, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-50 |
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| KM416V4104CT-L6 | SAMSUNG |
获取价格 |
EDO DRAM, 4MX16, 60ns, CMOS, PDSO50, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-50 |
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| KM4170 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Low Cost, +2.7V & +5V, Rail-to-Rail I/O Amplifiers |
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