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KM418C256AZ-7

更新时间: 2024-11-14 19:22:39
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 动态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
1页 61K
描述
Fast Page DRAM, 256KX18, 70ns, CMOS, PZIP40, PLASTIC, ZIP-40

KM418C256AZ-7 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:ZIP
包装说明:ZIP, ZIP40,.1针数:40
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.02风险等级:5.9
访问模式:FAST PAGE最长访问时间:70 ns
其他特性:RAS ONLY; CAS BEFORE RAS; HIDDEN REFRESHI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PZIP-T40JESD-609代码:e0
内存密度:4718592 bit内存集成电路类型:FAST PAGE DRAM
内存宽度:18功能数量:1
端口数量:1端子数量:40
字数:262144 words字数代码:256000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:256KX18
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:ZIP封装等效代码:ZIP40,.1
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:5 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:512
座面最大高度:12.06 mm自我刷新:NO
最大待机电流:0.001 A子类别:DRAMs
最大压摆率:0.12 mA最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:1.27 mm
端子位置:ZIG-ZAG处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:2.96 mmBase Number Matches:1

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