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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| KM416V4104CS-L6T | SAMSUNG |
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EDO DRAM, 4MX16, 60ns, CMOS, PDSO50 |
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| KM416V4104CS-L6TM | SAMSUNG |
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EDO DRAM, 4MX16, 60ns, CMOS, PDSO50 |
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| KM416V4104CS-L6TO | SAMSUNG |
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EDO DRAM, 4MX16, 60ns, CMOS, PDSO50 |
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| KM416V4104CT-45 | SAMSUNG |
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EDO DRAM, 4MX16, 45ns, CMOS, PDSO50, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-50 |
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| KM416V4104CT-L45 | SAMSUNG |
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EDO DRAM, 4MX16, 45ns, CMOS, PDSO50, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-50 |
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| KM416V4104CT-L6 | SAMSUNG |
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EDO DRAM, 4MX16, 60ns, CMOS, PDSO50, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-50 |
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| KM4170 | FAIRCHILD |
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Low Cost, +2.7V & +5V, Rail-to-Rail I/O Amplifiers |
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| KM4170IS5 | FAIRCHILD |
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Operational Amplifier, 1 Func, 6000uV Offset-Max, BIPolar, PDSO5, SC-70, 5 PIN |
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| KM4170IS5TR3 | FAIRCHILD |
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Low Cost, +2.7V & +5V, Rail-to-Rail I/O Amplifiers |
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| KM4170IS5TR3_NL | FAIRCHILD |
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暂无描述 |
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