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KFG1216Q2B-DEB80

更新时间： 2024-02-28 15:10:55

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		内存集成电路
页数	文件大小	规格书
136页	1839K
描述
Flash, 32MX16, 76ns, PBGA63, 9.50 X 12 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, FBGA-63

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KFG1216Q2B-DEB80 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	VFBGA, BGA63,10X12,32
针数：	63	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	3A991.B.1.A	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.84	最长访问时间：	76 ns
命令用户界面：	YES	数据轮询：	NO
JESD-30 代码：	R-PBGA-B63	JESD-609代码：	e1
长度：	12 mm	内存密度：	536870912 bit
内存集成电路类型：	FLASH	内存宽度：	16
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
部门数/规模：	512	端子数量：	63
字数：	33554432 words	字数代码：	32000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-30 °C	组织：	32MX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	VFBGA
封装等效代码：	BGA63,10X12,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH	页面大小：	1K words
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
电源：	1.8 V	编程电压：	1.8 V
认证状态：	Not Qualified	就绪/忙碌：	YES
座面最大高度：	1 mm	部门规模：	64K
最大待机电流：	0.00005 A	子类别：	Flash Memories
最大压摆率：	0.04 mA	最大供电电压 (Vsup)：	1.95 V
最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL EXTENDED	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
切换位：	NO	类型：	NAND TYPE
宽度：	9.5 mm	Base Number Matches：	1

KFG1216Q2B-DEB80 数据手册

OneNAND512Mb(KFG1216Q2B-xEBx)

FLASH MEMORY

KFG1216Q2B

512Mb OneNAND B-die

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OneNAND™‚ is a trademark of Samsung Electronics Company, Ltd. Other names and brands may be claimed as

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