是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | BGA | 包装说明: | VFBGA, BGA67,8X10,32 |
针数: | 67 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | 3A991.B.1.A | HTS代码: | 8542.32.00.51 |
风险等级: | 5.84 | 最长访问时间: | 76 ns |
命令用户界面: | YES | 数据轮询: | NO |
JESD-30 代码: | R-PBGA-B67 | JESD-609代码: | e1 |
长度: | 9 mm | 内存密度: | 536870912 bit |
内存集成电路类型: | FLASH | 内存宽度: | 16 |
湿度敏感等级: | 3 | 功能数量: | 1 |
部门数/规模: | 512 | 端子数量: | 67 |
字数: | 33554432 words | 字数代码: | 32000000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -30 °C | 组织: | 32MX16 |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | VFBGA |
封装等效代码: | BGA67,8X10,32 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH | 页面大小: | 1K words |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
电源: | 1.8 V | 编程电压: | 1.8 V |
认证状态: | Not Qualified | 就绪/忙碌: | YES |
座面最大高度: | 1 mm | 部门规模: | 64K |
最大待机电流: | 0.00005 A | 子类别: | Flash Memories |
最大压摆率: | 0.04 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 1.95 V |
最小供电电压 (Vsup): | 1.7 V | 标称供电电压 (Vsup): | 1.8 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL EXTENDED | 端子面层: | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
端子形式: | BALL | 端子节距: | 0.8 mm |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
切换位: | NO | 类型: | NAND TYPE |
宽度: | 7 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
KFG1216Q2M-DEB | SAMSUNG |
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FLASH MEMORY | |
KFG1216Q2M-DEB0 | SAMSUNG |
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Flash, 32MX16, 14.5ns, PBGA63, | |
KFG1216Q2M-DEB00 | SAMSUNG |
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Flash, 32MX16, 76ns, PBGA63, 9.50 X 12 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-63 | |
KFG1216Q2M-DEB50 | SAMSUNG |
获取价格 |
Flash, 32MX16, 76ns, PBGA63, 9.50 X 12 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-63 | |
KFG1216Q2M-DED | SAMSUNG |
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FLASH MEMORY | |
KFG1216Q2M-DIB | SAMSUNG |
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FLASH MEMORY | |
KFG1216Q2M-DID | SAMSUNG |
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FLASH MEMORY | |
KFG1216U2A | SAMSUNG |
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FLASH MEMORY | |
KFG1216U2A-DEB5 | SAMSUNG |
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FLASH MEMORY | |
KFG1216U2A-DEB50 | SAMSUNG |
获取价格 |
Flash, 32MX16, 76ns, PBGA63, 9.50 X 12 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, FBGA-63 |