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KFG1216U2A-DIB5T

更新时间: 2024-01-29 07:12:56
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 闪存存储内存集成电路
页数 文件大小 规格书
114页 1382K
描述
Flash, 32MX16, 14.5ns, PBGA63,

KFG1216U2A-DIB5T 技术参数

是否Rohs认证:符合生命周期:Active
包装说明:FBGA, BGA63,10X12,32Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.68Is Samacsys:N
最长访问时间:14.5 ns命令用户界面:YES
数据轮询:NOJESD-30 代码:R-PBGA-B63
内存密度:536870912 bit内存集成电路类型:FLASH
内存宽度:16部门数/规模:512
端子数量:63字数:33554432 words
字数代码:32000000最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:32MX16
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:FBGA
封装等效代码:BGA63,10X12,32封装形状:RECTANGULAR
封装形式:GRID ARRAY, FINE PITCH页面大小:1K words
并行/串行:PARALLEL电源:3.3 V
认证状态:Not Qualified就绪/忙碌:YES
部门规模:64K最大待机电流:0.00008 A
子类别:Flash Memories最大压摆率:0.04 mA
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子形式:BALL端子节距:0.8 mm
端子位置:BOTTOM切换位:NO
类型:NAND TYPEBase Number Matches:1

KFG1216U2A-DIB5T 数据手册

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OneNAND512(KFG1216x2A-xxB5)  
FLASH MEMORY  
OneNANDTM Specification  
Density  
Part No.  
VCC(core & IO)  
Temperature  
PKG  
512Mb  
KFG1216Q2A  
KFG1216D2A  
KFG1216U2A  
1.8V(1.7V~1.95V)  
2.65V(2.4V~2.9V)  
3.3V(2.7V~3.6V)  
Extended  
Extended  
Industrial  
63FBGA(LF)/63FBGA  
63FBGA(LF)/63FBGA  
63FBGA(LF)/63FBGA  
Version: Ver. 1.0  
Date: May 17th, 2005  
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