是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | BGA | 包装说明: | 9.50 X 12 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-63 |
针数: | 63 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | 3A991.B.1.A | HTS代码: | 8542.32.00.51 |
风险等级: | 5.84 | 最长访问时间: | 76 ns |
JESD-30 代码: | R-PBGA-B63 | JESD-609代码: | e1 |
长度: | 12 mm | 内存密度: | 536870912 bit |
内存集成电路类型: | FLASH | 内存宽度: | 16 |
湿度敏感等级: | 3 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 63 | 字数: | 33554432 words |
字数代码: | 32000000 | 工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -25 °C |
组织: | 32MX16 | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | VFBGA | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 编程电压: | 1.8 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 1 mm |
最大供电电压 (Vsup): | 1.95 V | 最小供电电压 (Vsup): | 1.7 V |
标称供电电压 (Vsup): | 1.8 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | OTHER |
端子面层: | TIN SILVER COPPER | 端子形式: | BALL |
端子节距: | 0.8 mm | 端子位置: | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 | 类型: | NAND TYPE |
宽度: | 9.5 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
KFG1216Q2M-DEB50 | SAMSUNG |
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Flash, 32MX16, 76ns, PBGA63, 9.50 X 12 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-63 | |
KFG1216Q2M-DED | SAMSUNG |
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FLASH MEMORY | |
KFG1216Q2M-DIB | SAMSUNG |
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FLASH MEMORY | |
KFG1216Q2M-DID | SAMSUNG |
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FLASH MEMORY | |
KFG1216U2A | SAMSUNG |
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FLASH MEMORY | |
KFG1216U2A-DEB5 | SAMSUNG |
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FLASH MEMORY | |
KFG1216U2A-DEB50 | SAMSUNG |
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Flash, 32MX16, 76ns, PBGA63, 9.50 X 12 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, FBGA-63 | |
KFG1216U2A-DEB6 | SAMSUNG |
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FLASH MEMORY | |
KFG1216U2A-DED5 | SAMSUNG |
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FLASH MEMORY | |
KFG1216U2A-DED50 | SAMSUNG |
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Flash, 32MX16, 76ns, PBGA63, 9.50 X 12 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, FBGA-63 |