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KFG1216Q2M-DEB00

更新时间: 2024-09-25 19:38:47
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 内存集成电路
页数 文件大小 规格书
76页 294K
描述
Flash, 32MX16, 76ns, PBGA63, 9.50 X 12 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-63

KFG1216Q2M-DEB00 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:BGA包装说明:9.50 X 12 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-63
针数:63Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:3A991.B.1.AHTS代码:8542.32.00.51
风险等级:5.84最长访问时间:76 ns
JESD-30 代码:R-PBGA-B63JESD-609代码:e1
长度:12 mm内存密度:536870912 bit
内存集成电路类型:FLASH内存宽度:16
湿度敏感等级:3功能数量:1
端子数量:63字数:33554432 words
字数代码:32000000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-25 °C
组织:32MX16封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:VFBGA封装形状:RECTANGULAR
封装形式:GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):260编程电压:1.8 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:1 mm
最大供电电压 (Vsup):1.95 V最小供电电压 (Vsup):1.7 V
标称供电电压 (Vsup):1.8 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:OTHER
端子面层:TIN SILVER COPPER端子形式:BALL
端子节距:0.8 mm端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:40类型:NAND TYPE
宽度:9.5 mmBase Number Matches:1

KFG1216Q2M-DEB00 数据手册

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OneNAND512/OneNAND1GDDP  
FLASH MEMORY  
OneNAND SPECIFICATION  
Density  
Part No.  
VCC(core & IO)  
1.8V(1.7V~1.95V)  
1.8V(1.7V~1.95V)  
2.65V(2.4V~2.9V)  
2.65V(2.4V~2.9V)  
3.3V(2.7V~3.6V)  
3.3V(2.7V~3.6V)  
1.8V(1.7V~1.95V)  
1.8V(1.7V~1.95V)  
2.65V(2.4V~2.9V)  
2.65V(2.4V~2.9V)  
3.3V(2.7V~3.6V)  
3.3V(2.7V~3.6V)  
Temperature  
PKG  
63FBGA(LF)  
63FBGA(LF)  
63FBGA(LF)  
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63FBGA(LF)  
N/A  
512Mb  
KFG1216Q2M-DCB  
KFG1216Q2M-DEB  
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KFH1G16U2M-DCB  
KFH1G16U2M-DIB  
Commercial  
Extended  
Commercial  
Extended  
Commercial  
Industrial  
1Gb  
Commercial  
Extended  
N/A  
Commercial  
Extended  
N/A  
N/A  
Commercial  
Industrial  
N/A  
N/A  
Version: Ver. 1.0  
Date: August 5th, 2004  
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