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KFG1216Q2M-DEB50

更新时间： 2024-09-25 20:03:59

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		内存集成电路
页数	文件大小	规格书
93页	1219K
描述
Flash, 32MX16, 76ns, PBGA63, 9.50 X 12 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-63

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KFG1216Q2M-DEB50 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	BGA
包装说明：	9.50 X 12 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-63	针数：	63
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A991.B.1.A
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.79
最长访问时间：	76 ns	其他特性：	SYNCHRONOUS BURST MODE OPERATION ALSO POSSIBLE
JESD-30 代码：	R-PBGA-B63	长度：	12 mm
内存密度：	536870912 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	16	功能数量：	1
端子数量：	63	字数：	33554432 words
字数代码：	32000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-30 °C
组织：	32MX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	VFBGA	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH	并行/串行：	PARALLEL
编程电压：	1.8 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1 mm	最大供电电压 (Vsup)：	1.95 V
最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	OTHER	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
类型：	NAND TYPE	宽度：	9.5 mm
Base Number Matches：	1

OneNAND512/OneNAND1GDDP

FLASH MEMORY

OneNAND SPECIFICATION

Density

Part No.

VCC(core & IO)

1.8V(1.7V~1.95V)

2.65V(2.4V~2.9V)

3.3V(2.7V~3.6V)

1.8V(1.7V~1.95V)

Temperature

PKG

512Mb

KFG1216Q2M-DEB

KFG1216D2M-DEB

KFG1216U2M-DIB

KFH1G16Q2M-DEB

Extended

Industrial

Extended

63FBGA(LF)

N/A

1Gb

Version: Ver. 1.4

Date: June 15th, 2005

12 3 4 5 6 7...93

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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