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KFG1216Q2A-FEB50

更新时间: 2024-01-06 20:42:13
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 内存集成电路
页数 文件大小 规格书
114页 1204K
描述
Flash, 32MX16, 76ns, PBGA63, 9.50 X 12 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, FBGA-63

KFG1216Q2A-FEB50 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:BGA包装说明:VFBGA, BGA63,10X12,32
针数:63Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:3A991.B.1.AHTS代码:8542.32.00.51
风险等级:5.86最长访问时间:76 ns
其他特性:SYNCHRONOUS BURST OPERATION IS POSSIBLE命令用户界面:YES
数据轮询:NOJESD-30 代码:R-PBGA-B63
长度:12 mm内存密度:536870912 bit
内存集成电路类型:FLASH内存宽度:16
湿度敏感等级:1功能数量:1
部门数/规模:512端子数量:63
字数:33554432 words字数代码:32000000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-30 °C组织:32MX16
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:VFBGA
封装等效代码:BGA63,10X12,32封装形状:RECTANGULAR
封装形式:GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH页面大小:1K words
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):225
电源:1.8 V编程电压:1.8 V
认证状态:Not Qualified就绪/忙碌:YES
座面最大高度:1 mm部门规模:64K
最大待机电流:0.00005 A子类别:Flash Memories
最大压摆率:0.04 mA最大供电电压 (Vsup):1.95 V
最小供电电压 (Vsup):1.7 V标称供电电压 (Vsup):1.8 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:OTHER端子形式:BALL
端子节距:0.8 mm端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED切换位:NO
类型:NAND TYPE宽度:9.5 mm
Base Number Matches:1

KFG1216Q2A-FEB50 数据手册

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OneNAND512(KFG1216x2A-xxB5)  
FLASH MEMORY  
OneNANDTM Specification  
Density  
Part No.  
VCC(core & IO)  
Temperature  
Extended  
Extended  
Industrial  
PKG  
KFG1216Q2A-DEB5 1.8V(1.7V~1.95V)  
63FBGA(LF)  
63FBGA  
KFG1216Q2A-FEB5  
KFG1216U2A-DIB5  
KFG1216U2A-FIB5  
1.8V(1.7V~1.95V)  
3.3V(2.7V~3.6V)  
3.3V(2.7V~3.6V)  
512Mb  
63FBGA(LF)  
63FBGA  
Industrial  
Version: Ver. 1.2  
Date: Dec. 23, 2005  
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