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KDZTR33B

更新时间: 2024-11-06 21:02:55
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罗姆 - ROHM 测试光电二极管
页数 文件大小 规格书
7页 347K
描述
Zener Diode, 34.95V V(Z), 5.71%, 1W, Silicon, Unidirectional, PMDU, 2 PIN

KDZTR33B 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Not Recommended包装说明:R-PDSO-F2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.59
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:ZENER DIODE最大动态阻抗:18 Ω
JESD-30 代码:R-PDSO-F2JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):225
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:1 W
标称参考电压:33 V子类别:Voltage Reference Diodes
表面贴装:YES技术:ZENER
端子面层:Matte Tin (Sn)端子形式:FLAT
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
最大电压容差:5.71%工作测试电流:10 mA
Base Number Matches:1

KDZTR33B 数据手册

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Zener Diode  
KDZ series  
Datasheet  
lApplication  
lDimensions (Unit : mm)  
lLand size figure (Unit : mm)  
Voltage regulation  
0.1±0.1  
ꢀꢀꢀ 0.05  
1.2  
1.6±0.1  
lFeatures  
1) Small power mold type. (PMDU)  
2) High ESD tolerance  
PMDU  
lStructure  
Cathode  
0.9±0.1  
0.8±0.1  
ROHM :  
JEDEC : SOD-123  
Manufacture Date  
EX. KDZ10B  
lConstruction  
Anode  
Silicon epitaxial planar  
lTaping specifications (Unit : mm)  
0.25±0.05  
2.0±0.05  
4.0±0.1  
1.55 0.05  
4.0±0.1  
1.0 0.1  
1.81±0.1  
1.5MAX  
lAbsolute maximum ratings (Ta = 25°C)  
Parameter  
Symbol  
Limits  
1000  
Unit  
Power dissipation  
P
Tj  
mW  
°C  
150  
Junction temperature  
Storage temperature  
Tstg  
-55 to +150  
°C  
www.rohm.com  
© 2013 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.  
2013.11 - Rev.G  
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