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KDZTR6.2B

更新时间: 2024-11-23 12:27:11
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罗姆 - ROHM /
页数 文件大小 规格书
5页 116K
描述
Small power mold type.

KDZTR6.2B 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Not Recommended包装说明:R-PDSO-F2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.74
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:ZENER DIODE最大动态阻抗:6 Ω
JESD-30 代码:R-PDSO-F2JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):225
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:1 W
标称参考电压:6.2 V子类别:Voltage Reference Diodes
表面贴装:YES技术:ZENER
端子面层:Matte Tin (Sn)端子形式:FLAT
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
最大电压容差:6.06%工作测试电流:40 mA
Base Number Matches:1

KDZTR6.2B 数据手册

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KDZ6.2B  
Diodes  
Zener diode  
KDZ6.2B  
zApplications  
zDimensions (Unit : mm)  
zLand size figure (Unit : mm)  
Voltage regulation  
㪇㪅㪈㫧㪇㪅㪈  
䇭䇭䇭㩷㪇㪅㪇㪌  
㪈㪅㪍㫧㪇㪅㪈  
㪈㪅㪉  
zFeatures  
1) Small power mold type. (PMDU)  
2) High ESD tolerance  
㪧㪤㪛㪬  
zConstruction  
Silicon epitaxial planar  
zStructure  
!̛  
㪇㪅㪐㫧㪇㪅㪈  
㪇㪅㪏㫧㪇㪅㪈  
㪩㪦㪟㪤㩷㪑㩷㪧㪤㪛㪬  
㪡㪜㪛㪜㪚㩷㪑㪪㪦㪛㪄㪈㪉㪊  
㪤㪸㫅㫌㪽㪸㪺㫋㫌㫉㪼㩷㪛㪸㫋㪼  
EX. KDZ10B  
zTaping dimensions (Unit : mm)  
㪇㪅㪉㪌㫧㪇㪅㪇㪌  
㱢㪈㪅㪌㪌㫧㪇㪅㪇㪌  
㪉㪅㪇㫧㪇㪅㪇㪌  
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㱢㪈㪅㪇㫧㪇㪅㪈  
㪈㪅㪏㪈㫧㪇㪅㪈  
㪈㪅㪌㪤㪘㪯  
zAbsolute maximum ratings (Ta=25qC)  
Parameter  
Power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
Limits  
Symbol  
P
Unit  
1000  
150  
-55 to +150  
mW  
Tj  
Tstg  
Rev.F  
1/4  

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