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KDZTR8.2B

更新时间: 2024-11-23 20:10:19
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罗姆 - ROHM 测试二极管
页数 文件大小 规格书
5页 106K
描述
Zener Diode, 8.66V V(Z), 5%, 1W,

KDZTR8.2B 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Not RecommendedReach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.74配置:SINGLE
二极管类型:ZENER DIODE最大动态阻抗:4 Ω
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
元件数量:1最高工作温度:150 °C
峰值回流温度(摄氏度):225最大功率耗散:1 W
标称参考电压:8.2 V子类别:Voltage Reference Diodes
表面贴装:YES端子面层:Matte Tin (Sn)
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED最大电压容差:5%
工作测试电流:40 mABase Number Matches:1

KDZTR8.2B 数据手册

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KDZ8.2B  
Diodes  
Zener diode  
KDZ8.2B  
zApplications  
zDimensions (Unit : mm)  
zLand size figure (Unit : mm)  
Voltage regulation  
㪇㪅㪈㫧㪇㪅㪈  
䇭䇭䇭㩷㪇㪅㪇㪌  
㪈㪅㪍㫧㪇㪅㪈  
㪈㪅㪉  
zFeatures  
1) Small power mold type. (PMDU)  
2) High ESD tolerance  
㪧㪤㪛㪬  
zConstruction  
Silicon epitaxial planar  
zStructure  
!̛  
㪇㪅㪐㫧㪇㪅㪈  
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EX. KDZ10B  
zTaping dimensions (Unit : mm)  
㪇㪅㪉㪌㫧㪇㪅㪇㪌  
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㱢㪈㪅㪇㫧㪇㪅㪈  
㪈㪅㪏㪈㫧㪇㪅㪈  
㪈㪅㪌㪤㪘㪯  
zAbsolute maximum ratings (Ta=25qC)  
Parameter  
Power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
Limits  
Symbol  
P
Unit  
1000  
150  
-55 to +150  
mW  
Tj  
Tstg  
Rev.F  
1/4  

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