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KDZTR9.1B

更新时间: 2024-11-26 12:28:19
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罗姆 - ROHM 稳压二极管
页数 文件大小 规格书
5页 117K
描述
Zener diode

KDZTR9.1B 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Not Recommended包装说明:R-PDSO-F2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.76
其他特性:HIGH RELIABILITY配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:ZENER DIODE
最大动态阻抗:6 ΩJESD-30 代码:R-PDSO-F2
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:1 W标称参考电压:9.1 V
子类别:Voltage Reference Diodes表面贴装:YES
技术:ZENER端子形式:FLAT
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
最大电压容差:5.7%工作测试电流:40 mA
Base Number Matches:1

KDZTR9.1B 数据手册

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KDZ9.1B  
Diodes  
Zener diode  
KDZ9.1B  
zApplications  
zDimensions (Unit : mm)  
zLand size figure (Unit : mm)  
Voltage regulation  
㪇㪅㪈㫧㪇㪅㪈  
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㪈㪅㪉  
zFeatures  
1) Small power mold type. (PMDU)  
2) High ESD tolerance  
㪧㪤㪛㪬  
zConstruction  
Silicon epitaxial planar  
zStructure  
!̛  
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EX. KDZ10B  
zTaping dimensions (Unit : mm)  
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㪈㪅㪏㪈㫧㪇㪅㪈  
㪈㪅㪌㪤㪘㪯  
zAbsolute maximum ratings (Ta=25qC)  
Parameter  
Power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
Limits  
Symbol  
P
Unit  
1000  
150  
-55 to +150  
mW  
Tj  
Tstg  
Rev.F  
1/4  

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