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KBJ1004G-BP-HF

更新时间： 2024-11-25 14:51:51

品牌	Logo	应用领域
美微科 - MCC		二极管
页数	文件大小	规格书
3页	375K
描述
Bridge Rectifier Diode, 10A, 400V V(RRM),

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KBJ1004G-BP-HF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.68	配置：	BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管类型：	BRIDGE RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1.1 V
湿度敏感等级：	1	最大非重复峰值正向电流：	120 A
元件数量：	4	最高工作温度：	150 °C
最大输出电流：	10 A	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压：	400 V	子类别：	Bridge Rectifier Diodes
表面贴装：	NO	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

KBJ1004G-BP-HF 数据手册

KBJ10005G

THRU

M C C

Micro Commercial Components

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ

KBJ1010G

Features

10 Amp

•

Diffused Junction

Low Forward Voltage Drop

High Current Capability

Halogen free available upon request by adding suffix "-HF"

Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating

GLASS PASSIVATED

BRIDGE RECTIFIERS

50 to 1000 Volts

•

Moisture Sensitivity Level 1

Lead Free Finish/RoHS Compliant (NOTE 1)("P" Suffix

designates RoHS Compliant. See ordering information)

•

KBJ

Maximum Ratings

•

Operating Junction Temperature: -55°C to + 150°C

Storage Temperature: -55°C to +150°C

•

UL Recognized File # E165989

MCC

Catalog

Number

Device

Marking

Maximum

Recurrent

Peak

Reverse

Voltage

50V

Maximum Maximum

RMS

Voltage

Blocking

Voltage

KBJ10005G KBJ10005G

35V

70V

50V

100V

200V

400V

600V

800V

1000V

KBJ1001G

KBJ1002G

KBJ1004G

KBJ1006G

KBJ1008G

KBJ1010G

KBJ1001G

KBJ1002G

KBJ1004G

KBJ1006G

KBJ1008G

KBJ1010G

100V

200V

140V

280V

420V

560V

700V

400V

600V

800V

1000V

Case Type

DIMENSIONS

INCHES

MIN MAX

.992

Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified

10A

DIM

MIN

24.80

14.70

MAX

25.20

15.30

NOTE

.976

.579

Average Forward

Current

I_F(AV)

T_C= 100°C

.602

.154

.173

.161

.189

3.90

4.40

4.10

4.80

Peak Forward Surge

Current

I_FSM

120A

8.3ms, half sine

.134

.122

.150

.134

3.40

3.10

3.80

3.40

.130

.035

.146

.043

3.30

0.90

3.70

1.10

Maximum Forward

Voltage Drop Per

Element

V_F

1.1V

I_FM= 5.0A per

element;

T_A= 25°C (Note 2)

.059

.677

.287

.075

.700

.303

1.50

17.20

7.30

1.90

17.80

7.70

.098

.024

.114

.031

2.50

0.60

2.90

0.80

Maximum DC

Reverse Current At

Rated DC Blocking

Voltage

.366

.381

9.30

9.70

.118X45

3.0X45

3.10

.134

I_R

10µA

TA = 25°C

.122

3.40

I²t Rating for fusing

I²t

60A ²S

(t<8.3ms)

Notes: 1. High Temperature Solder Exemption Applied, see EU Directive Annex Notes 7

2. Pulse Test: Pulse Width 300usec, Duty Cycle 1%

www.mccsemi.com

1 of 3

Revision: A

2013/01/01

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
KBJ1004G-BP-TF	MCC	获取价格	Bridge Rectifier Diode,
KBJ1005	RFE	获取价格	BRIDGE RECTIFIERS 10 Amps
KBJ1005	GWSEMI	获取价格	SINGLE PHASE 10.0 AMP BRIDGE RECTIFIERS
KBJ1006	RFE	获取价格	BRIDGE RECTIFIERS 10 Amps
KBJ1006	FCI	获取价格	10 Amps Single-Phase Silicon Bridge Rectifiers High surge current capability
KBJ1006	PANJIT	获取价格	SILICON BRIDGE RECTIFIERS
KBJ1006	HY	获取价格	SILICON BRIDGE RECTIFIERS
KBJ1006	YANGJIE	获取价格	Bridge Rectifier Diode, 10A, 600V V(RRM),
KBJ1006	GWSEMI	获取价格	SINGLE PHASE 10.0 AMP BRIDGE RECTIFIERS
KBJ1006A	YANGJIE	获取价格	4KBJ

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