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KBA0401A0M-T401

更新时间： 2024-02-01 03:36:07

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
48页	1039K
描述
Memory Circuit, Flash+PSRAM+SRAM, 4MX16, CMOS, PBGA80, 11 X 10 MM, TBGA-80

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KBA0401A0M-T401 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	BGA
包装说明：	LFBGA, BGA80,9X12,32	针数：	80
Reach Compliance Code：	compliant	HTS代码：	8542.32.00.71
风险等级：	5.84	最长访问时间：	85 ns
其他特性：	ALSO CONTAINS 2M X 16 UTRAM AND 512K X 16 SRAM	JESD-30 代码：	R-PBGA-B80
长度：	11 mm	内存密度：	67108864 bit
内存集成电路类型：	MEMORY CIRCUIT	内存宽度：	16
混合内存类型：	FLASH+PSRAM+SRAM	功能数量：	1
端子数量：	80	字数：	4194304 words
字数代码：	4000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	4MX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	LFBGA	封装等效代码：	BGA80,9X12,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
电源：	3 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.4 mm	最大待机电流：	0.000006 A
子类别：	Other Memory ICs	最大压摆率：	0.035 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.3 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	宽度：	10 mm
Base Number Matches：	1

KBA0401A0M-T401 数据手册

KBA0101A0M / KBA0201A0M

KBA0301A0M / KBA0401A0M

Preliminary

MCP MEMORY

DATA RETENTION CHARACTERISTICS for SRAM

Item

Vcc for data retention

Data retention current

Data retention set-up time

Recovery time

Symbol

VDR

Test Condition

CS1s³ Vcc-0.2V¹⁾, VIN³ 0V

Min

1.5

Typ

Max

Unit

3.1

Vcc=1.5V, CS1s³ Vcc-0.2V¹⁾, VIN³ 0V

0.5²⁾

IDR

tSDR

tRDR

See data retention waveform

tRC

1. 1) CS1s³ Vcc-0.2V, CS2s³ Vcc-0.2V(CS1s controlled) or

2) 0£CS2s£0.2V(CS2s controlled)

2. Typical values are measured at TA=25°C and not 100% tested.

DATA RETENTION WAVE FORM for SRAM

CS1S controlled

Data Retention Mode

tSDR

tRDR

VCCS

2.7V

2.2V

VDR

CS1s³ VCCS - 0.2V

CS1S

GND

CS2S controlled

Data Retention Mode

VCCS

2.7V

CS2S

tSDR

tRDR

VDR

CS2S£0.2V

0.4V

GND

Revision 0.1

February 2002

- 45 -

1...42 43 444546 47 48

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