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KBA0401A0M-T401

更新时间： 2024-01-22 09:22:32

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
48页	1039K
描述
Memory Circuit, Flash+PSRAM+SRAM, 4MX16, CMOS, PBGA80, 11 X 10 MM, TBGA-80

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KBA0401A0M-T401 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	BGA
包装说明：	LFBGA, BGA80,9X12,32	针数：	80
Reach Compliance Code：	compliant	HTS代码：	8542.32.00.71
风险等级：	5.84	最长访问时间：	85 ns
其他特性：	ALSO CONTAINS 2M X 16 UTRAM AND 512K X 16 SRAM	JESD-30 代码：	R-PBGA-B80
长度：	11 mm	内存密度：	67108864 bit
内存集成电路类型：	MEMORY CIRCUIT	内存宽度：	16
混合内存类型：	FLASH+PSRAM+SRAM	功能数量：	1
端子数量：	80	字数：	4194304 words
字数代码：	4000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	4MX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	LFBGA	封装等效代码：	BGA80,9X12,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
电源：	3 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.4 mm	最大待机电流：	0.000006 A
子类别：	Other Memory ICs	最大压摆率：	0.035 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.3 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	宽度：	10 mm
Base Number Matches：	1

KBA0401A0M-T401 数据手册

KBA0101A0M / KBA0201A0M

KBA0301A0M / KBA0401A0M

Preliminary

MCP MEMORY

TIMING WAVEFORM OF WRITE CYCLE(1) (WE Controlled)

tWC

Address

CS1s

tCW(2)

tWR(4)

CS2s

tAW

tBW

UBs, LBs

tWP(1)

tAS(3)

tDW

tDH

High-Z

Data in

Data Valid

tWHZ

tOW

Data Undefined

Data out

TIMING WAVEFORM OF WRITE CYCLE(2) (CS1s Controlled)

tWC

Address

tCW(2)

tAS(3)

tWR(4)

CS1s

tAW

CS2s

tBW

UBs, LBs

tWP(1)

tDW

tDH

Data Valid

Data in

Data out

High-Z

Revision 0.1

February 2002

- 43 -

1...40 41 424344 45 46...48

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