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KBA0401A0M-T401

更新时间： 2024-01-15 04:07:29

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
48页	1039K
描述
Memory Circuit, Flash+PSRAM+SRAM, 4MX16, CMOS, PBGA80, 11 X 10 MM, TBGA-80

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KBA0401A0M-T401 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	BGA
包装说明：	LFBGA, BGA80,9X12,32	针数：	80
Reach Compliance Code：	compliant	HTS代码：	8542.32.00.71
风险等级：	5.84	最长访问时间：	85 ns
其他特性：	ALSO CONTAINS 2M X 16 UTRAM AND 512K X 16 SRAM	JESD-30 代码：	R-PBGA-B80
长度：	11 mm	内存密度：	67108864 bit
内存集成电路类型：	MEMORY CIRCUIT	内存宽度：	16
混合内存类型：	FLASH+PSRAM+SRAM	功能数量：	1
端子数量：	80	字数：	4194304 words
字数代码：	4000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	4MX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	LFBGA	封装等效代码：	BGA80,9X12,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
电源：	3 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.4 mm	最大待机电流：	0.000006 A
子类别：	Other Memory ICs	最大压摆率：	0.035 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.3 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	宽度：	10 mm
Base Number Matches：	1

KBA0401A0M-T401 数据手册

TNAL0101

UtRAM USAGE AND TIMING

Figure 3.

toggle CS to high every 4ms

Over 4ms

tRC

Address

Write operation has similar restriction to Read operation. If your

system has a timing which sustains invalid states over 4ms at

write mode and has continuous write signals with length of Min.

tWC over 4ms like Figure 4, you must toggle WE once to high

and make it stay high at least for tRC every 4ms or toggle CS

once to high for about tRC.

Figure 4.

Over 4ms

tWP

Address

tWC

Figure 5.

toggle WE to high and make it stay high at least for tRC every 4ms

Over 4ms

tWP

Address

tWC

tRC

Figure 6.

toggle CS to high every 4ms

Over 4ms

tRC

tWP

Address

tWC

SRAM PRODUCT PLANNING

SAMSUNG Electronics CO., LTD. reserves the right to change products or specifications without notice.

LIM-011025

Ó2002 SAMSUNG Electronics CO., LTD.

- 48 -

1...45 46 4748

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