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K9F1G16Q0M-YCB00 PDF预览

K9F1G16Q0M-YCB00

更新时间： 2024-11-24 14:38:07
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
40页 729K
描述
Flash, 64MX16, 60ns, PDSO48, 12 X 20 MM, 0.50 MM PITCH, PLASTIC, TSOP1-48

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K9F1G16Q0M-YCB00 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TSOP1
包装说明：TSOP1,针数：48
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：3A991.B.1.A
HTS代码：8542.32.00.51风险等级：5.84
最长访问时间：60 ns其他特性：CONTAINS ADDITIONAL 32M BIT SPARE MEMORY
JESD-30 代码：R-PDSO-G48长度：18.4 mm
内存密度：1073741824 bit内存集成电路类型：FLASH
内存宽度：16功能数量：1
端子数量：48字数：67108864 words
字数代码：64000000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：64MX16封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSOP1封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行：PARALLEL
编程电压：1.8 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.2 mm最大供电电压 (Vsup)：1.95 V
最小供电电压 (Vsup)：1.7 V标称供电电压 (Vsup)：1.8 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子形式：GULL WING
端子节距：0.5 mm端子位置：DUAL
类型：SLC NAND TYPE宽度：12 mm
Base Number Matches：1

K9F1G16Q0M-YCB00 数据手册

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K9F1G08Q0M K9F1G16Q0M  
K9F1G08D0M  
K9F1G16D0M  
K9F1G08U0M K9F1G16U0M  
FLASH MEMORY  
Document Title  
128M x 8 Bit / 64M x 16 Bit NAND Flash Memory  
Revision History  
Revision No History  
Draft Date  
July. 5. 2001  
Nov. 5. 2001  
Remark  
0.0  
0.1  
1. Initial issue  
Advance  
1. Iol(R/B) of 1.8V is changed.  
- min. value : 7mA --> 3mA  
- Typ. value : 8mA --> 4mA  
2. AC parameter is changed.  
tRP(min.) : 30ns --> 25ns  
3. A recovery time of minimum 1ms is required before internal circuit gets  
ready for any command sequences as shown in Figure 17.  
Dec. 4. 2001  
---> A recovery time of minimum 10ms is required before internal circuit gets  
ready for any command sequences as shown in Figure 17.  
0.2  
0.3  
1. ALE status fault in ’Random data out in a page’ timing diagram(page 19)  
is fixed.  
1. tAR1, tAR2 are merged to tAR.(Page11)  
(Before revision) min. tAR1 = 10ns , min. tAR2 = 50ns  
(After revision) min. tAR = 10ns  
Apr. 25. 2002  
2. min. tCLR is changed from 50ns to 10ns.(Page11)  
3. min. tREA is changed from 35ns to 30ns.(Page11)  
4. min. tWC is changed from 50ns to 45ns.(Page11)  
5. tRHZ is devided into tRHZ and tOH.(Page11)  
- tRHZ : RE High to Output Hi-Z  
- tOH : RE High to Output Hold  
6. tCHZ is devided into tCHZ and tOH.(Page11)  
- tCHZ : CE High to Output Hi-Z  
- tOH : CE High to Output Hold  
1. Add the Rp vs tr ,tf & Rp vs ibusy graph for 1.8V device (Page 35)  
2. Add the data protection Vcc guidence for 1.8V device - below about  
1.1V. (Page 36)  
Nov. 22.2002  
0.4  
1. The min. Vcc value 1.8V devices is changed.  
K9F1GXXQ0M : Vcc 1.65V~1.95V --> 1.70V~1.95V  
0.5  
0.6  
Mar. 6.2003  
Mar. 13.2003  
Pb-free Package is added.  
K9F1G08U0M-FCB0,FIB0  
K9F1G08Q0M-PCB0,PIB0  
K9F1G08U0M-PCB0,PIB0  
K9F1G16U0M-PCB0,PIB0  
K9F1G16Q0M-PCB0,PIB0  
The attached data sheets are prepared and approved by SAMSUNG Electronics. SAMSUNG Electronics CO., LTD. reserve the  
right to change the specifications. SAMSUNG Electronics will evaluate and reply to your requests and questions about device. If you  
have any questions, please contact the SAMSUNG branch office near your office.  
1
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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