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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | BGA |
| 包装说明： | VFBGA, BGA63,10X12,32 | 针数： | 63 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | 3A991.B.1.A |
| HTS代码： | 8542.32.00.51 | 风险等级： | 5.77 |
| Is Samacsys： | N | 最长访问时间： | 30 ns |
| 其他特性： | CONTAINS ADDITIONAL 4M BIT NAND FLASH | 命令用户界面： | YES |
| 数据轮询： | NO | JESD-30 代码： | R-PBGA-B63 |
| 长度： | 11 mm | 内存密度： | 134217728 bit |
| 内存集成电路类型： | FLASH | 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 | 部门数/规模： | 1K |
| 端子数量： | 63 | 字数： | 16777216 words |
| 字数代码： | 16000000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 16MX8 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | VFBGA | 封装等效代码： | BGA63,10X12,32 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH |
| 页面大小： | 512 words | 并行/串行： | SERIAL |
| 电源： | 1.8 V | 编程电压： | 1.8 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 就绪/忙碌： | YES |
| 座面最大高度： | 1 mm | 部门规模： | 16K |
| 最大待机电流： | 0.00005 A | 子类别： | Flash Memories |
| 最大压摆率： | 0.015 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 1.95 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 1.65 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 1.8 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子形式： | BALL |
| 端子节距： | 0.8 mm | 端子位置： | BOTTOM |
| 切换位： | NO | 类型： | NAND TYPE |
| 宽度： | 9 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| K9F2808Q0C-DCB00 | SAMSUNG |
获取价格 |
Flash, 16MX8, 40ns, PBGA63, 9 X 11 MM, 0.80 MM PITCH, TBGA-63 |
|
| K9F2808Q0C-HCB0 | SAMSUNG |
获取价格 |
16M x 8 Bit NAND Flash Memory |
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| K9F2808Q0C-HCB0T | SAMSUNG |
获取价格 |
Flash Memory |
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| K9F2808Q0C-HIB0 | SAMSUNG |
获取价格 |
16M x 8 Bit NAND Flash Memory |
|
| K9F2808Q0C-HIB0T | SAMSUNG |
获取价格 |
Flash Memory |
|
| K9F2808U0 | SAMSUNG |
获取价格 |
16M x 8 Bit NAND Flash Memory |
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| K9F2808U0A | SAMSUNG |
获取价格 |
16M x 8 Bit NAND Flash Memory |
|
| K9F2808U0A- | SAMSUNG |
获取价格 |
16M x 8 Bit NAND Flash Memory |
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| K9F2808U0A-YCB0 | SAMSUNG |
获取价格 |
16M x 8 Bit NAND Flash Memory |
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| K9F2808U0A-YIB0 | SAMSUNG |
获取价格 |
16M x 8 Bit NAND Flash Memory |
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