Datasheet > K7N163645A-FC160

K7N163645A-FC160

更新时间： 2024-09-22 14:51:51

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
25页	560K
描述
ZBT SRAM, 512KX36, 3.5ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

K7N163645A-FC160 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	BGA
包装说明：	LBGA,	针数：	165
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A991.B.2.A
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	3.5 ns
其他特性：	PIPELINED ARCHITECTURE	JESD-30 代码：	R-PBGA-B165
长度：	15 mm	内存密度：	18874368 bit
内存集成电路类型：	ZBT SRAM	内存宽度：	36
功能数量：	1	端子数量：	165
字数：	524288 words	字数代码：	512000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	512KX36
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	LBGA
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, LOW PROFILE
并行/串行：	PARALLEL	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.4 mm	最大供电电压 (Vsup)：	2.625 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.375 V	标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	BALL
端子节距：	1 mm	端子位置：	BOTTOM
宽度：	13 mm	Base Number Matches：	1

K7N163645A-FC160 数据手册

K7N163601A

K7N161801A

512Kx36 & 1Mx18 Pipelined NtRAM^TM

18Mb NtRAM Specification

100 TQFP with Pb & Pb-Free

(RoHS compliant)

INFORMATION IN THIS DOCUMENT IS PROVIDED IN RELATION TO SAMSUNG PRODUCTS,

AND IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE.

NOTHING IN THIS DOCUMENT SHALL BE CONSTRUED AS GRANTING ANY LICENSE,

EXPRESS OR IMPLIED, BY ESTOPPEL OR OTHERWISE,

TO ANY INTELLECTUAL PROPERTY RIGHTS IN SAMSUNG PRODUCTS OR TECHNOLOGY.

ALL INFORMATION IN THIS DOCUMENT IS PROVIDED

ON AS "AS IS" BASIS WITHOUT GUARANTEE OR WARRANTY OF ANY KIND.

1. For updates or additional information about Samsung products, contact your nearest Samsung office.

2. Samsung products are not intended for use in life support, critical care, medical, safety equipment, or simi-

lar applications where Product failure couldresult in loss of life or personal or physical harm, or any military

or defense application, or any governmental procurement to which special terms or provisions may apply.

* Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.

Rev. 3.0 November 2003

- 1 -

12 3 4 5 6 7...25

中文翻译

下载PDF

与K7N163645A-FC160相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K7N163645A-FC22	SAMSUNG	获取价格	ZBT SRAM, 512KX36, 2.8ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165
K7N163645A-FI160	SAMSUNG	获取价格	ZBT SRAM, 512KX36, 3.5ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165
K7N163645A-FI220	SAMSUNG	获取价格	ZBT SRAM, 512KX36, 2.8ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165
K7N163645A-HC160	SAMSUNG	获取价格	ZBT SRAM, 512KX36, 3.5ns, CMOS, PBGA119, BGA-119
K7N163645A-HC22	SAMSUNG	获取价格	ZBT SRAM, 512KX36, 2.8ns, CMOS, PBGA119, BGA-119
K7N163645A-HI20	SAMSUNG	获取价格	ZBT SRAM, 512KX36, 3.2ns, CMOS, PBGA119, BGA-119
K7N163645A-HI22	SAMSUNG	获取价格	ZBT SRAM, 512KX36, 2.8ns, CMOS, PBGA119, BGA-119
K7N163645A-Q(F)C(I)13	SAMSUNG	获取价格	512Kx36 & 1Mx18 Pipelined NtRAM
K7N163645A-Q(F)C(I)16	SAMSUNG	获取价格	512Kx36 & 1Mx18 Pipelined NtRAM
K7N163645A-Q(F)C(I)20	SAMSUNG	获取价格	512Kx36 & 1Mx18 Pipelined NtRAM

与K7N163645A-FC160相关文章

摩尔斯微电子在美国约书亚树国家公园测试 Wi-Fi HaLow
2024-09-18

73
贸泽上架Tallysman TW5386智能GNSS天线
2024-09-18

65
SL74HC10N：高性能三输入与非门解析
2024-09-03

149
AIC1781A 电池充电控制器深度解析
2024-09-03

131

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

K7N163645A-FC160

K7N163645A-FC160 技术参数

K7N163645A-FC160 数据手册

与K7N163645A-FC160相关器件

与K7N163645A-FC160相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

K7N163645A-FC160

K7N163645A-FC160 技术参数

K7N163645A-FC160 数据手册

与K7N163645A-FC160相关器件

与K7N163645A-FC160相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？