是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | BGA | 包装说明: | LBGA, |
针数: | 165 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | 3A991.B.2.A | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.91 | 最长访问时间: | 3.5 ns |
其他特性: | PIPELINED ARCHITECTURE | JESD-30 代码: | R-PBGA-B165 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 15 mm |
内存密度: | 18874368 bit | 内存集成电路类型: | ZBT SRAM |
内存宽度: | 36 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 165 | 字数: | 524288 words |
字数代码: | 512000 | 工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 512KX36 | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | LBGA | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | GRID ARRAY, LOW PROFILE | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 240 | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 1.4 mm | 最大供电电压 (Vsup): | 2.625 V |
最小供电电压 (Vsup): | 2.375 V | 标称供电电压 (Vsup): | 2.5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子面层: | TIN LEAD |
端子形式: | BALL | 端子节距: | 1 mm |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
宽度: | 13 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
K7N163645A-FI220 | SAMSUNG |
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ZBT SRAM, 512KX36, 2.8ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165 |
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K7N163645A-HC160 | SAMSUNG |
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ZBT SRAM, 512KX36, 3.5ns, CMOS, PBGA119, BGA-119 |
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K7N163645A-HC22 | SAMSUNG |
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ZBT SRAM, 512KX36, 2.8ns, CMOS, PBGA119, BGA-119 |
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K7N163645A-HI20 | SAMSUNG |
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ZBT SRAM, 512KX36, 3.2ns, CMOS, PBGA119, BGA-119 |
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K7N163645A-HI22 | SAMSUNG |
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ZBT SRAM, 512KX36, 2.8ns, CMOS, PBGA119, BGA-119 |
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K7N163645A-Q(F)C(I)13 | SAMSUNG |
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512Kx36 & 1Mx18 Pipelined NtRAM |
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K7N163645A-Q(F)C(I)16 | SAMSUNG |
获取价格 |
512Kx36 & 1Mx18 Pipelined NtRAM |
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K7N163645A-Q(F)C(I)20 | SAMSUNG |
获取价格 |
512Kx36 & 1Mx18 Pipelined NtRAM |
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K7N163645A-Q(F)C(I)25 | SAMSUNG |
获取价格 |
512Kx36 & 1Mx18 Pipelined NtRAM |
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K7N163645A-QC130 | SAMSUNG |
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ZBT SRAM, 512KX36, 4.2ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100 |
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