是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | BGA, BGA119,7X17,50 | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.8 | 最长访问时间: | 3.5 ns |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-PBGA-B119 |
内存密度: | 18874368 bit | 内存集成电路类型: | ZBT SRAM |
内存宽度: | 36 | 端子数量: | 119 |
字数: | 524288 words | 字数代码: | 512000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 512KX36 | |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | BGA | 封装等效代码: | BGA119,7X17,50 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | GRID ARRAY |
并行/串行: | PARALLEL | 电源: | 2.5/3.3,3.3 V |
认证状态: | Not Qualified | 最大待机电流: | 0.03 A |
最小待机电流: | 3.14 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.42 mA | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子形式: | BALL | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | BOTTOM | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
K7N163601M-HC10 | SAMSUNG |
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ZBT SRAM, 512KX36, 5ns, CMOS, PBGA119, BGA-119 | |
K7N163601M-HC13 | SAMSUNG |
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ZBT SRAM, 512KX36, 4.2ns, CMOS, PBGA119, BGA-119 | |
K7N163601M-HC15 | SAMSUNG |
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ZBT SRAM, 512KX36, 3.8ns, CMOS, PBGA119, BGA-119 | |
K7N163601M-HC150 | SAMSUNG |
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ZBT SRAM, 512KX36, 3.8ns, CMOS, PBGA119, BGA-119 | |
K7N163601M-HC16T | SAMSUNG |
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ZBT SRAM, 512KX36, 3.5ns, CMOS, PBGA119 | |
K7N163601M-PC15 | SAMSUNG |
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ZBT SRAM, 512KX36, 3.8ns, CMOS, PQFP100 | |
K7N163601M-PC16 | SAMSUNG |
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ZBT SRAM, 512KX36, 3.5ns, CMOS, PQFP100 | |
K7N163601M-QC15 | SAMSUNG |
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ZBT SRAM, 512KX36, 3.8ns, CMOS, PQFP100 | |
K7N163601M-QC15T | SAMSUNG |
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ZBT SRAM, 512KX36, 3.8ns, CMOS, PQFP100 | |
K7N163601M-QC16 | SAMSUNG |
获取价格 |
ZBT SRAM, 512KX36, 3.5ns, CMOS, PQFP100 |