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K7N163601M-HC13

更新时间： 2023-05-15 00:00:00

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
20页	350K
描述
ZBT SRAM, 512KX36, 4.2ns, CMOS, PBGA119, BGA-119

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K7N163601M-HC13 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	BGA, BGA119,7X17,50
针数：	119	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	3A991.B.2.A	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.92	最长访问时间：	4.2 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PBGA-B119
JESD-609代码：	e0	长度：	22 mm
内存密度：	18874368 bit	内存集成电路类型：	ZBT SRAM
内存宽度：	36	功能数量：	1
端子数量：	119	字数：	524288 words
字数代码：	512000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	512KX36	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	BGA
封装等效代码：	BGA119,7X17,50	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	2.5/3.3,3.3 V
认证状态：	Not Qualified	最大待机电流：	0.01 A
最小待机电流：	3.14 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.38 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.465 V
最小供电电压 (Vsup)：	3.135 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	BALL	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	14 mm	Base Number Matches：	1

K7N163601M-HC13 数据手册

K7N163601M

K7N161801M

512Kx36 & 1Mx18 Pipelined NtRAM^TM

Document Title

512Kx36 & 1Mx18-Bit Pipelined NtRAM^TM

Revision History

Draft Date

Dec. 22. 1998

May. 27. 1999

Sep. 04. 1999

Rev. No.

History

Remark

0.0

0.1

0.2

1. Initial document.

Preliminary

1. Update ICC & ISB values.

1. Change ISB value from 80mA to 110mA at -67.

2. Change ISB value from 70mA to 90mA at -72 .

3. Change ISB value from 60mA to 80mA at -10 .

Nov. 19. 1999

0.3

1. Change pin allocation at 119BGA .

- A4 ; from NC to A .

Preliminary

- B2 ; from A to CS2

- B4 ; from CKE to ADV

- B6 ; from A to CS2

- G4 ; from ADV to A

- H4 ; from NC to WE

- M4 ; from WE toCKE

2. Changed DC condition at Icc and parameters

Icc ; from 420mA to 400mA at -67,

from 370mA to 380mA at -75,

from 300mA to 320mA at -10,

Nov. 26. 1999

Dec. 08. 1999

Feb. 23. 2001

0.4

1.0

2.0

1. Add tCYC 167MHz.

1. Final Spec Release.

1. Remove 100MHz

Preliminary

Final

The attached data sheets are prepared and approved by SAMSUNG Electronics. SAMSUNG Electronics CO., LTD. reserve the right to change the

specifications. SAMSUNG Electronics will evaluate and reply to your requests and questions on the parameters of this device. If you have any ques-

tions, please contact the SAMSUNG branch office near your office, call or contact Headquarters.

- 1 -

February 2001

Rev 2.0

12 3 4 5 6 7...20

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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K7N163601M-HC150	SAMSUNG	获取价格	ZBT SRAM, 512KX36, 3.8ns, CMOS, PBGA119, BGA-119
K7N163601M-HC16T	SAMSUNG	获取价格	ZBT SRAM, 512KX36, 3.5ns, CMOS, PBGA119
K7N163601M-PC15	SAMSUNG	获取价格	ZBT SRAM, 512KX36, 3.8ns, CMOS, PQFP100
K7N163601M-PC16	SAMSUNG	获取价格	ZBT SRAM, 512KX36, 3.5ns, CMOS, PQFP100
K7N163601M-QC15	SAMSUNG	获取价格	ZBT SRAM, 512KX36, 3.8ns, CMOS, PQFP100
K7N163601M-QC15T	SAMSUNG	获取价格	ZBT SRAM, 512KX36, 3.8ns, CMOS, PQFP100
K7N163601M-QC16	SAMSUNG	获取价格	ZBT SRAM, 512KX36, 3.5ns, CMOS, PQFP100
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