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K7N163601M-HC150

更新时间： 2024-01-11 15:36:10
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
20页 350K
描述
ZBT SRAM, 512KX36, 3.8ns, CMOS, PBGA119, BGA-119

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K7N163601M-HC150 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：BGA包装说明：BGA,
针数：119Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：3A991.B.2.AHTS代码：8542.32.00.41
风险等级：5.92最长访问时间：3.8 ns
其他特性：PIPELINED ARCHITECTUREJESD-30 代码：R-PBGA-B119
长度：22 mm内存密度：18874368 bit
内存集成电路类型：ZBT SRAM内存宽度：36
功能数量：1端子数量：119
字数：524288 words字数代码：512000
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：512KX36
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：BGA
封装形状：RECTANGULAR封装形式：GRID ARRAY
并行/串行：PARALLEL认证状态：Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)：3.465 V最小供电电压 (Vsup)：3.135 V
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子形式：BALL端子节距：1.27 mm
端子位置：BOTTOM宽度：14 mm
Base Number Matches：1

K7N163601M-HC150 数据手册

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K7N163601M  
K7N161801M  
512Kx36 & 1Mx18 Pipelined NtRAMTM  
Document Title  
512Kx36 & 1Mx18-Bit Pipelined NtRAMTM  
Revision History  
Draft Date  
Dec. 22. 1998  
May. 27. 1999  
Sep. 04. 1999  
Rev. No.  
History  
Remark  
0.0  
0.1  
0.2  
1. Initial document.  
Preliminary  
Preliminary  
Preliminary  
1. Update ICC & ISB values.  
1. Change ISB value from 80mA to 110mA at -67.  
2. Change ISB value from 70mA to 90mA at -72 .  
3. Change ISB value from 60mA to 80mA at -10 .  
Nov. 19. 1999  
0.3  
1. Change pin allocation at 119BGA .  
- A4 ; from NC to A .  
Preliminary  
- B2 ; from A to CS2  
- B4 ; from CKE to ADV  
- B6 ; from A to CS2  
- G4 ; from ADV to A  
- H4 ; from NC to WE  
- M4 ; from WE toCKE  
2. Changed DC condition at Icc and parameters  
Icc ; from 420mA to 400mA at -67,  
from 370mA to 380mA at -75,  
from 300mA to 320mA at -10,  
Nov. 26. 1999  
Dec. 08. 1999  
Feb. 23. 2001  
0.4  
1.0  
2.0  
1. Add tCYC 167MHz.  
1. Final Spec Release.  
1. Remove 100MHz  
Preliminary  
Final  
Final  
The attached data sheets are prepared and approved by SAMSUNG Electronics. SAMSUNG Electronics CO., LTD. reserve the right to change the  
specifications. SAMSUNG Electronics will evaluate and reply to your requests and questions on the parameters of this device. If you have any ques-  
tions, please contact the SAMSUNG branch office near your office, call or contact Headquarters.  
- 1 -  
February 2001  
Rev 2.0  
1234567...20

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