Datasheet > K7N163601M-QC16

K7N163601M-QC16

更新时间： 2024-09-21 15:36:11

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
20页	350K
描述
ZBT SRAM, 512KX36, 3.5ns, CMOS, PQFP100

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

K7N163601M-QC16 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	QFP, QFP100,.63X.87
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.92
最长访问时间：	3.5 ns	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PQFP-G100	JESD-609代码：	e0
内存密度：	18874368 bit	内存集成电路类型：	ZBT SRAM
内存宽度：	36	湿度敏感等级：	3
端子数量：	100	字数：	524288 words
字数代码：	512000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	512KX36	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	QFP
封装等效代码：	QFP100,.63X.87	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLATPACK	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	2.5/3.3,3.3 V
认证状态：	Not Qualified	最大待机电流：	0.01 A
最小待机电流：	3.14 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.42 mA	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.635 mm	端子位置：	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	Base Number Matches：	1

K7N163601M-QC16 数据手册

K7N163601M

K7N161801M

512Kx36 & 1Mx18 Pipelined NtRAM^TM

Document Title

512Kx36 & 1Mx18-Bit Pipelined NtRAM^TM

Revision History

Draft Date

Dec. 22. 1998

May. 27. 1999

Sep. 04. 1999

Rev. No.

History

Remark

0.0

0.1

0.2

1. Initial document.

Preliminary

1. Update ICC & ISB values.

1. Change ISB value from 80mA to 110mA at -67.

2. Change ISB value from 70mA to 90mA at -72 .

3. Change ISB value from 60mA to 80mA at -10 .

Nov. 19. 1999

0.3

1. Change pin allocation at 119BGA .

- A4 ; from NC to A .

Preliminary

- B2 ; from A to CS2

- B4 ; from CKE to ADV

- B6 ; from A to CS2

- G4 ; from ADV to A

- H4 ; from NC to WE

- M4 ; from WE toCKE

2. Changed DC condition at Icc and parameters

Icc ; from 420mA to 400mA at -67,

from 370mA to 380mA at -75,

from 300mA to 320mA at -10,

Nov. 26. 1999

Dec. 08. 1999

Feb. 23. 2001

0.4

1.0

2.0

1. Add tCYC 167MHz.

1. Final Spec Release.

1. Remove 100MHz

Preliminary

Final

The attached data sheets are prepared and approved by SAMSUNG Electronics. SAMSUNG Electronics CO., LTD. reserve the right to change the

specifications. SAMSUNG Electronics will evaluate and reply to your requests and questions on the parameters of this device. If you have any ques-

tions, please contact the SAMSUNG branch office near your office, call or contact Headquarters.

- 1 -

February 2001

Rev 2.0

12 3 4 5 6 7...20

中文翻译

下载PDF

与K7N163601M-QC16相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K7N163601M-TC13	SAMSUNG	获取价格	ZBT SRAM, 512KX36, 4.2ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100
K7N163601M-TC130	SAMSUNG	获取价格	ZBT SRAM, 512KX36, 4.2ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, TQFP-100
K7N163601M-TC15	SAMSUNG	获取价格	ZBT SRAM, 512KX36, 3.8ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100
K7N163601M-TC150	SAMSUNG	获取价格	ZBT SRAM, 512KX36, 3.8ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, TQFP-100
K7N163601M-TC16	SAMSUNG	获取价格	ZBT SRAM, 512KX36, 3.5ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100
K7N163601-QC13	SAMSUNG	获取价格	512Kx36 & 1Mx18-Bit Flow Through NtRAM
K7N163601-QC16	SAMSUNG	获取价格	512Kx36 & 1Mx18-Bit Flow Through NtRAM
K7N163601-QC20	SAMSUNG	获取价格	512Kx36 & 1Mx18-Bit Flow Through NtRAM
K7N163601-QC25	SAMSUNG	获取价格	512Kx36 & 1Mx18-Bit Flow Through NtRAM
K7N163601-QI13	SAMSUNG	获取价格	512Kx36 & 1Mx18-Bit Flow Through NtRAM

与K7N163601M-QC16相关文章

摩尔斯微电子在美国约书亚树国家公园测试 Wi-Fi HaLow
2024-09-18

65
贸泽上架Tallysman TW5386智能GNSS天线
2024-09-18

62
SL74HC10N：高性能三输入与非门解析
2024-09-03

134
AIC1781A 电池充电控制器深度解析
2024-09-03

130

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

K7N163601M-QC16

K7N163601M-QC16 技术参数

K7N163601M-QC16 数据手册

与K7N163601M-QC16相关器件

与K7N163601M-QC16相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

K7N163601M-QC16

K7N163601M-QC16 技术参数

K7N163601M-QC16 数据手册

与K7N163601M-QC16相关器件

与K7N163601M-QC16相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？