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K7N163631B-QC160

更新时间： 2024-02-27 16:47:27

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		时钟静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
25页	559K
描述
ZBT SRAM, 512KX36, 3.5ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100

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K7N163631B-QC160 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	QFP	包装说明：	LQFP, QFP100,.63X.87
针数：	100	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	3A991.B.2.A	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.91	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	3.5 ns	其他特性：	PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES WITH 3.3V SUPPLY
最大时钟频率 (fCLK)：	167 MHz	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PQFP-G100	JESD-609代码：	e0
长度：	20 mm	内存密度：	18874368 bit
内存集成电路类型：	ZBT SRAM	内存宽度：	36
功能数量：	1	端子数量：	100
字数：	524288 words	字数代码：	512000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	512KX36
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	LQFP	封装等效代码：	QFP100,.63X.87
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	240
电源：	2.5,3.3 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.6 mm	最大待机电流：	0.13 A
最小待机电流：	3.14 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.3 mA	最大供电电压 (Vsup)：	2.625 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.375 V	标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.65 mm
端子位置：	QUAD	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
宽度：	14 mm	Base Number Matches：	1

K7N163631B-QC160 数据手册

K7N163631B

K7N161831B

512Kx36 & 1Mx18 Pipelined NtRAM^TM

18Mb NtRAM Specification

100TQFP/165FBGA with Pb/Pb-Free

(RoHS compliant)

INFORMATION IN THIS DOCUMENT IS PROVIDED IN RELATION TO SAMSUNG PRODUCTS,

AND IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE.

NOTHING IN THIS DOCUMENT SHALL BE CONSTRUED AS GRANTING ANY LICENSE,

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TO ANY INTELLECTUAL PROPERTY RIGHTS IN SAMSUNG PRODUCTS OR TECHNOLOGY.

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lar applications where Product failure could result in loss of life or personal or physical harm, or any military

or defense application, or any governmental procurement to which special terms or provisions may apply.

* Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.

Rev. 3.0 April 2006

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