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K6X1008C2D-GQ700

更新时间： 2024-01-10 17:48:59
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
10页 122K
描述
Standard SRAM, 128KX8, 70ns, CMOS, PDSO32, 0.525 INCH, PLASTIC, SOP-32

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K6X1008C2D-GQ700 数据手册

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K6X1008C2D Family  
CMOS SRAM  
AC OPERATING CONDITIONS  
TEST CONDITIONS( Test Load and Input/Output Reference)  
Input pulse level: 0.8 to 2.4V  
Input rising and falling time: 5ns  
1)  
CL  
Input and output reference voltage:1.5V  
Output load(see right): CL=100pF+1TTL  
CL=50pF+1TTL  
1. Including scope and jig capacitance  
AC CHARACTERISTICS  
(VCC=4.5~5.5V, Commercial product: TA=0 to 70°C, Industrial product: TA=-40 to 85°C, Automotive product: TA=-40~125°C)  
Speed Bins  
55ns1)  
Max  
Parameter List  
Symbol  
Units  
70ns  
Min  
55  
-
Min  
70  
-
Max  
Read Cycle Time  
tRC  
tAA  
-
55  
55  
25  
-
-
70  
70  
35  
-
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
Address Access Time  
Chip Select to Output  
tCO  
tOE  
-
-
Output Enable to Valid Output  
Chip Select to Low-Z Output  
Output Enable to Low-Z Output  
Chip Disable to High-Z Output  
Output Disable to High-Z Output  
Output Hold from Address Change  
Write Cycle Time  
-
-
Read  
tLZ  
10  
5
10  
5
tOLZ  
tHZ  
-
-
0
20  
20  
-
0
25  
25  
-
tOHZ  
tOH  
tWC  
tCW  
tAS  
0
0
10  
55  
45  
0
10  
70  
60  
0
-
-
Chip Select to End of Write  
Address Set-up Time  
-
-
-
-
Address Valid to End of Write  
Write Pulse Width  
tAW  
tWP  
tWR  
tWHZ  
tDW  
tDH  
45  
40  
0
-
60  
50  
0
-
-
-
Write  
Write Recovery Time  
-
-
Write to Output High-Z  
0
20  
-
0
25  
-
Data to Write Time Overlap  
Data Hold from Write Time  
End Write to Output Low-Z  
20  
0
25  
0
-
-
tOW  
5
-
5
-
1. The parameter is tested with 50pF test load. Commercial & Industrial Products only.  
DATA RETENTION CHARACTERISTICS  
Item  
Symbol  
Test Condition  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
V
CS1≥Vcc-0.2V1)  
Vcc for data retention  
VDR  
2.0  
-
-
-
-
-
-
-
5.5  
10  
10  
25  
-
K6X1008C2D-B  
K6X1008C2D-F  
K6X1008C2D-Q  
µA  
µA  
µA  
Vcc=3.0V, CS1≥Vcc-0.2V1)  
Data retention current  
IDR  
-
-
Data retention set-up time  
Recovery time  
tSDR  
tRDR  
0
5
See data retention waveform  
ms  
-
1. CS1≥Vcc-0.2V, CS2≥VCC-0.2V, or CS2≤0.2V  
5
Revision 3.0  
March 2005  
12345678...10

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