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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TSOP1 | 包装说明： | 8 X 20 MM, LEAD FREE, TSOP1-32 |
| 针数： | 32 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.41 |
| 风险等级： | 5.59 | 最长访问时间： | 55 ns |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-PDSO-G32 |
| JESD-609代码： | e6 | 长度： | 18.4 mm |
| 内存密度： | 1048576 bit | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 8 | 湿度敏感等级： | 3 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 32 |
| 字数： | 131072 words | 字数代码： | 128000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 128KX8 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | TSOP1 | 封装等效代码： | TSSOP32,.8,20 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 1.2 mm | 最大待机电流： | 0.00001 A |
| 最小待机电流： | 2 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.025 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | Tin/Bismuth (Sn/Bi) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 0.5 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 宽度： | 8 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| K6X1008C2D-PB55T | SAMSUNG | 暂无描述 |
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| K6X1008C2D-PB70 | SAMSUNG | 128Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM |
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| K6X1008C2D-PB70T | SAMSUNG | Standard SRAM, 128KX8, 70ns, CMOS, PDSO32 |
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| K6X1008C2D-PF55 | SAMSUNG | 128Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM |
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| K6X1008C2D-PF550 | SAMSUNG | Standard SRAM, 128KX8, 55ns, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, LEAD FREE, TSOP1-32 |
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| K6X1008C2D-PF55T | SAMSUNG | Standard SRAM, 128KX8, 55ns, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, LEAD FREE, TSOP1-32 |
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