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K6X1008C2D-TB55

更新时间： 2024-02-20 00:25:51

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		存储内存集成电路静态存储器光电二极管
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10页	179K
描述
128Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM

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K6X1008C2D-TB55 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	TSSOP, TSSOP32,.8,20	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.92	最长访问时间：	55 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PDSO-G32
内存密度：	1048576 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	8	端子数量：	32
字数：	131072 words	字数代码：	128000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	128KX8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSSOP	封装等效代码：	TSSOP32,.8,20
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行：	PARALLEL	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	最大待机电流：	0.00001 A
最小待机电流：	2 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.025 mA	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.5 mm	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

K6X1008C2D-TB55 数据手册

K6X1008C2D Family

CMOS SRAM

Document Title

128Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM

Revision History

Revision No. History

Draft Data

Remark

0.0

Initial draft

July 15, 2002

Preliminary

0.1

Revised

December 4, 2002

Preliminary

- Deleted 32-TSOP1-0820R Package Type.

- Added Commercial product.

0.2

0.3

1.0

Revised

May 13, 2003

Preliminary

Final

- Added Lead Free 32-SOP-525 Product

Revised

June 21, 2003

- Added Lead Free 32-TSOP1-0820F Product

Finalized

September 16, 2003

- Changed ICC from 10mA to 5mA

- Changed ICC2 from 35mA to 25mA

- Changed ISB from 3mA to 0.4mA

- Changed IDR(industrial) from 15mA to 10mA

- Changed IDR(Automotive) from 25mA to 20mA

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Revision 1.0

September 2003

12 3 4 5 6 7...10

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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