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K6X1008C2D-GQ700

更新时间： 2024-02-21 10:01:06

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		静态存储器光电二极管
页数	文件大小	规格书
10页	122K
描述
Standard SRAM, 128KX8, 70ns, CMOS, PDSO32, 0.525 INCH, PLASTIC, SOP-32

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K6X1008C2D-GQ700 数据手册

K6X1008C2D Family

CMOS SRAM

RECOMMENDED DC OPERATING CONDITIONS¹⁾

Item

Symbol

Vcc

Min

4.5

Typ

Max

5.5

Unit

Supply voltage

Ground

5.0

Vss

Vcc+0.5²⁾

0.8

Input high voltage

Input low voltage

Note:

VIH

2.2

-0.5³⁾

VIL

1. Commercial Product: T^A=0 to 70°C, Otherwise specified

Industrial Product: T^A=-40 to 85°C, Otherwise specified

Automotive Product: T^A=-40 to 125°C, Otherwise specified

2. Overshoot: Vcc+3.0V in case of pulse width≤30ns.

3. Undershoot: -3.0V in case of pulse width≤30ns.

4. Overshoot and undershoot are sampled, not 100% tested.

CAPACITANCE¹⁾(f=1MHz, TA=25°C)

Item

Input capacitance

Symbol

CIN

Test Condition

VIN=0V

Min

Max

Unit

Input/Output capacitance

CIO

VIO=0V

1. Capacitance is sampled, not 100% tested

DC AND OPERATING CHARACTERISTICS

Item

Symbol

ILI

Test Conditions

Min Typ Max Unit

Input leakage current

VIN=Vss to Vcc

-1

µA

Output leakage current

Operating power supply current

ILO

CS1=VIH or CS2=VIL or OE=VIH or WE=VIL, VIO=Vss to Vcc

IIO=0mA, CS1=VIL, CS2=VIH, VIN=VIH or VIL, Read

ICC

Cycle time=1µs, 100%duty, IIO=0mA, CS1≤0.2V, CS2≥Vcc-0.2V,

VIN≤0.2V or VIN≥VCC-0.2V

ICC1

ICC2

Average operating current

Cycle time=Min, 100% duty, IIO=0mA, CS1=VIL, CS2=VIH,

VIN=VIH or VIL

25 mA

Output low voltage

Output high voltage

Standby Current(TTL)

VOL

VOH

ISB

IOL=2.1mA

0.4

IOH=-1.0mA

2.4

CS1=VIH, CS2=VIL, Other inputs=VIH or VIL

0.4 mA

10 µA

15 µA

50 µA

K6X1008C2D-B

CS1≥Vcc-0.2V, CS2≥Vcc-0.2V or

CS2≤0.2V, Other inputs=0~Vcc

Standby Current(CMOS)

ISB1

K6X1008C2D-F

K6X1008C2D-Q

Revision 3.0

March 2005

1 2 345 6 7...10

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