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K6R4004C1D-JC15

更新时间： 2024-09-28 14:51:47
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
8页 84K
描述
Standard SRAM, 1MX4, 15ns, CMOS, PDSO32

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K6R4004C1D-JC15 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete包装说明：SOJ, SOJ32,.44
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.92
最长访问时间：15 nsI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-PDSO-J32JESD-609代码：e0
内存密度：4194304 bit内存集成电路类型：STANDARD SRAM
内存宽度：4湿度敏感等级：3
端子数量：32字数：1048576 words
字数代码：1000000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：1MX4输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SOJ
封装等效代码：SOJ32,.44封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：260电源：5 V
认证状态：Not Qualified最大待机电流：0.01 A
最小待机电流：4.5 V子类别：SRAMs
最大压摆率：0.07 mA标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：J BEND端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
Base Number Matches：1

K6R4004C1D-JC15 数据手册

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Preliminary  
PRELIMINARY  
CMOS SRAM  
K6R4004C1D-C/D-I/D-P  
Document Title  
1Mx4 Bit High Speed Static RAM(5.0V Operating).  
Operated at Commercial and Industrial Temperature Ranges.  
Revision History  
Rev No.  
History  
Draft Data  
September. 7. 2001  
Remark  
Rev. 0.0  
Initial release with Preliminary.  
Preliminary  
The attached data sheets are prepared and approved by SAMSUNG Electronics. SAMSUNG Electronics CO., LTD. reserve the right to change the  
specifications. SAMSUNG Electronics will evaluate and reply to your requests and questions on the parameters of this device. If you have any ques-  
tions, please contact the SAMSUNG branch office near your office, call or contact Headquarters.  
Rev 0.0  
- 1 -  
September 2001  
12345678

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