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K6R4004V1B-JI15

更新时间： 2023-08-15 00:00:00

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		静态存储器光电二极管
页数	文件大小	规格书
9页	183K
描述
Standard SRAM, 1MX4, 15ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32

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K6R4004V1B-JI15 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SOJ, SOJ32,.44	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.92	最长访问时间：	15 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PDSO-J32
JESD-609代码：	e0	内存密度：	4194304 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	4
端子数量：	32	字数：	1048576 words
字数代码：	1000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	1MX4	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SOJ
封装等效代码：	SOJ32,.44	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	并行/串行：	PARALLEL
电源：	3.3 V	认证状态：	Not Qualified
最大待机电流：	0.01 A	最小待机电流：	3 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.175 mA
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	J BEND
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL

K6R4004V1B-JI15 数据手册

PRELIMINARY

CMOS SRAM

K6R4004V1B-C/B-L, K6R4004V1B-I/B-P

Document Title

1Mx4 Bit (with OE) High Speed Static RAM(3.3V Operating),

Operated at Commercial and Industrial Temperature Ranges.

Revision History

RevNo.

Rev. 0.0

Rev. 1.0

History

Draft Data

Remark

Initial release with Design Target.

Jan. 1st, 1997

Jun. 1st, 1997

Design Target

Preliminary

Release to Preliminary Data Sheet.

1.1. Replace Design Target to Preliminary.

Rev. 2.0

Release to Final Data Sheet.

2.1. Delete Preliminary.

Feb.11th.1998

Final

2.2. Add 30pF capacitive in test load.

2.3. Relax DC characteristics.

Item

Current

185mA

180mA

175mA

50mA

ICC

10ns

12ns

15ns

f=max.

f=0

VDR=3.0V

160mA

150mA

140mA

40mA

10 / 1mA

0.9mA

ISB

ISB1

IDR

10 / 1.5mA

0.7mA

Rev. 2.1

Change operating current at Industrial Temperature range.

Jun. 27th 1998

Final

Previous spec.

(10/12/15ns part)

185/180/175mA

Changed spec.

(10/12/15ns part)

210/205/200mA

Items

ICC

The attached data sheets are prepared and approved by SAMSUNG Electronics. SAMSUNG Electronics CO., LTD. reserve the right to change the

specifications. SAMSUNG Electronics will evaluate and reply to your requests and questions on the parameters of this device. If you have any ques-

tions, please contact the SAMSUNG branch office near your office, call or contact Headquarters.

Rev 2.1

June 1998

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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K6R4004V1B-JL10T	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 1MX4, 10ns, CMOS, PDSO32
K6R4004V1B-JL12	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 1MX4, 12ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32
K6R4004V1B-JL12T	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 1MX4, 12ns, CMOS, PDSO32
K6R4004V1B-JP10	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 1MX4, 10ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32
K6R4004V1B-JP12T	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 1MX4, 12ns, CMOS, PDSO32
K6R4004V1B-JP15	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 1MX4, 15ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32
K6R4004V1B-TC12T	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 1MX4, 12ns, CMOS, PDSO32
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