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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SOJ, SOJ32,.44 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.84 |
| 最长访问时间： | 10 ns | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-J32 | JESD-609代码： | e1 |
| 长度： | 20.95 mm | 内存密度： | 4194304 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 4 |
| 湿度敏感等级： | 3 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 32 | 字数： | 1048576 words |
| 字数代码： | 1000000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 1MX4 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | SOJ |
| 封装等效代码： | SOJ32,.44 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 3.76 mm |
| 最大待机电流： | 0.005 A | 最小待机电流： | 4.5 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.075 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子面层： | TIN SILVER COPPER | 端子形式： | J BEND |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | 宽度： | 10.16 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| K6R4004C1D-KI100 | SAMSUNG |
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Standard SRAM, 1MX4, 10ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, LEAD FREE, PLASTIC, SOJ-32 |
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| K6R4004C1D-KI100810 | SAMSUNG |
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1Mx4 Bit High Speed Static RAM(5.0V Operating) |
|
| K6R4004V1B-C12 | SAMSUNG |
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SRAM |
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| K6R4004V1B-C15 | SAMSUNG |
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SRAM |
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| K6R4004V1B-I10 | SAMSUNG |
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SRAM |
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| K6R4004V1B-JC10 | SAMSUNG |
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Standard SRAM, 1MX4, 10ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32 |
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| K6R4004V1B-JC12T | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 1MX4, 12ns, CMOS, PDSO32 |
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| K6R4004V1B-JC15T | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 1MX4, 15ns, CMOS, PDSO32 |
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| K6R4004V1B-JI10 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 1MX4, 10ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32 |
|
| K6R4004V1B-JI12 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 1MX4, 12ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32 |
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