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K6L1016V3B-TF85

更新时间： 2024-11-05 19:19:39
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
9页 149K
描述
Standard SRAM, 64KX16, 85ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44

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K6L1016V3B-TF85 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TSOP2
包装说明：TSOP2,针数：44
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.84
最长访问时间：85 ns其他特性：LOW DATA RETENTION VOLTAGE : 2V(MIN)
JESD-30 代码：R-PDSO-G44长度：18.41 mm
内存密度：1048576 bit内存集成电路类型：STANDARD SRAM
内存宽度：16功能数量：1
端子数量：44字数：65536 words
字数代码：64000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：64KX16封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSOP2封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行：PARALLEL
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：3 V
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子形式：GULL WING端子节距：0.8 mm
端子位置：DUAL宽度：10.16 mm
Base Number Matches：1

K6L1016V3B-TF85 数据手册

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K6L1016V3B, K6L1016U3B Family  
CMOS SRAM  
Document Title  
64K x16 bit Low Power and Low Voltage CMOS Static RAM  
Revision History  
Revision No.  
History  
Draft Data  
Remark  
0.0  
Design target  
July 24, 1995  
Advance  
0.1  
1.0  
Initial draft  
August 12, 1995  
April 13, 1996  
Preliminary  
Final  
Finalize  
- One datasheet for commercial and industrial part and 3.0, 3.3V prod-  
uct.  
2.0  
Revised  
- Change datasheet format.  
February 25, 1998  
August 13, 1998  
Final  
- Remove Icc write current value.  
- Remove low power product from TSOP package  
- Remove 100ns part from KM616V1000B Family  
- Remove Extended product  
Errata correction  
2.01  
The attached datasheets are provided by SAMSUNG Electronics. SAMSUNG Electronics CO., LTD. reserve the right to change the specifications and  
products. SAMSUNG Electronics will answer to your questions about device. If you have any questions, please contact the SAMSUNG branch offices.  
1
Revision 2.01  
February 1998  
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