是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 包装说明: | FBGA, BGA90,9X15,32 |
Reach Compliance Code: | compliant | 风险等级: | 5.81 |
最长访问时间: | 0.5 ns | 最大时钟频率 (fCLK): | 266 MHz |
I/O 类型: | COMMON | 交错的突发长度: | 4,8 |
JESD-30 代码: | R-PBGA-B90 | JESD-609代码: | e1 |
内存密度: | 536870912 bit | 内存集成电路类型: | DDR DRAM |
内存宽度: | 16 | 湿度敏感等级: | 3 |
端子数量: | 90 | 字数: | 33554432 words |
字数代码: | 32000000 | 最高工作温度: | 95 °C |
最低工作温度: | 组织: | 32MX16 | |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | FBGA | 封装等效代码: | BGA90,9X15,32 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | GRID ARRAY, FINE PITCH |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 电源: | 1.8 V |
认证状态: | Not Qualified | 刷新周期: | 8192 |
连续突发长度: | 4,8 | 最大待机电流: | 0.008 A |
子类别: | DRAMs | 最大压摆率: | 0.24 mA |
标称供电电压 (Vsup): | 1.8 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | OTHER |
端子面层: | Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5) | 端子形式: | BALL |
端子节距: | 0.8 mm | 端子位置: | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
K4T51163QE-ZCD5T | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 32MX16, 0.5ns, CMOS, PBGA90 | |
K4T51163QE-ZCE6 | SAMSUNG |
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DDR DRAM, 32MX16, 0.45ns, CMOS, PBGA90 | |
K4T51163QE-ZCE7 | SAMSUNG |
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DDR DRAM, 32MX16, 0.4ns, CMOS, PBGA90 | |
K4T51163QE-ZCE70 | SAMSUNG |
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DDR DRAM, 32MX16, 0.4ns, CMOS, PBGA84, ROHS COMPLIANT, FBGA-84 | |
K4T51163QE-ZCE7T | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 32MX16, 0.4ns, CMOS, PBGA90 | |
K4T51163QE-ZCF70 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 32MX16, 0.4ns, CMOS, PBGA84, ROHS COMPLIANT, FBGA-84 | |
K4T51163QE-ZLCCT | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 32MX16, 0.6ns, CMOS, PBGA90 | |
K4T51163QE-ZLD5 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 32MX16, 0.5ns, CMOS, PBGA90 | |
K4T51163QE-ZLE6 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 32MX16, 0.45ns, CMOS, PBGA90 | |
K4T51163QE-ZLE60 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 32MX16, 0.45ns, CMOS, PBGA84, ROHS COMPLIANT, FBGA-84 |