是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | BGA | 包装说明: | TFBGA, BGA84,9X15,32 |
针数: | 84 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.28 |
风险等级: | 5.58 | Is Samacsys: | N |
访问模式: | FOUR BANK PAGE BURST | 最长访问时间: | 0.5 ns |
其他特性: | AUTO/SELF REFRESH | 最大时钟频率 (fCLK): | 267 MHz |
I/O 类型: | COMMON | 交错的突发长度: | 4,8 |
JESD-30 代码: | R-PBGA-B84 | 长度: | 12.5 mm |
内存密度: | 536870912 bit | 内存集成电路类型: | DDR DRAM |
内存宽度: | 16 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 84 |
字数: | 33554432 words | 字数代码: | 32000000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 95 °C |
最低工作温度: | 组织: | 32MX16 | |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | TFBGA | 封装等效代码: | BGA84,9X15,32 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 1.8 V |
认证状态: | Not Qualified | 刷新周期: | 8192 |
座面最大高度: | 1.2 mm | 自我刷新: | YES |
连续突发长度: | 4,8 | 最大待机电流: | 0.008 A |
子类别: | DRAMs | 最大压摆率: | 0.235 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 1.9 V | 最小供电电压 (Vsup): | 1.7 V |
标称供电电压 (Vsup): | 1.8 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | OTHER |
端子形式: | BALL | 端子节距: | 0.8 mm |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 7.5 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
K4T51163QG-HCD5T | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 32MX16, 0.5ns, CMOS, PBGA84 | |
K4T51163QG-HCE6 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 32MX16, 0.45ns, CMOS, PBGA84, | |
K4T51163QG-HCE6T | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 32MX16, 0.45ns, CMOS, PBGA84, | |
K4T51163QG-HCE7 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 32MX16, 0.4ns, CMOS, PBGA84 | |
K4T51163QG-HCE70 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 32MX16, 0.4ns, CMOS, PBGA84, ROHS COMPLIANT, FBGA-84 | |
K4T51163QG-HCF80 | SAMSUNG |
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DDR DRAM, 32MX16, 0.35ns, CMOS, PBGA84, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-84 | |
K4T51163QG-HCLCC | SAMSUNG |
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512Mb G-die DDR2 SDRAM Specification | |
K4T51163QG-HCLD5 | SAMSUNG |
获取价格 |
512Mb G-die DDR2 SDRAM Specification | |
K4T51163QG-HCLE6 | SAMSUNG |
获取价格 |
512Mb G-die DDR2 SDRAM Specification | |
K4T51163QG-HCLE7 | SAMSUNG |
获取价格 |
512Mb G-die DDR2 SDRAM Specification |