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K4T51083QC-ZCD50

更新时间： 2024-11-24 15:42:23

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		时钟动态存储器双倍数据速率内存集成电路
页数	文件大小	规格书
28页	652K
描述
DDR DRAM, 64MX8, 0.5ns, CMOS, PBGA60, ROHS COMPLIANT, FBGA-60

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K4T51083QC-ZCD50 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	TFBGA, BGA60,9X11,32
针数：	60	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.28
风险等级：	5.72	访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间：	0.5 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：	266 MHz	I/O 类型：	COMMON
交错的突发长度：	4,8	JESD-30 代码：	R-PBGA-B60
JESD-609代码：	e1	长度：	11 mm
内存密度：	536870912 bit	内存集成电路类型：	DDR DRAM
内存宽度：	8	湿度敏感等级：	3
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	60	字数：	67108864 words
字数代码：	64000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：
组织：	64MX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TFBGA
封装等效代码：	BGA60,9X11,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	峰值回流温度（摄氏度）：	260
电源：	1.8 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	8192	座面最大高度：	1.2 mm
自我刷新：	YES	连续突发长度：	4,8
最大待机电流：	0.22 A	子类别：	DRAMs
最大供电电压 (Vsup)：	1.9 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	OTHER
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	10 mm
Base Number Matches：	1

K4T51083QC-ZCD50 数据手册

K4T51043QC

K4T51083QC

K4T51163QC

512Mb DDR2 SDRAM

512Mb C-die DDR2 SDRAM Specification

60FBGA & 84FBGA with Pb-Free

(RoHS compliant)

INFORMATION IN THIS DOCUMENT IS PROVIDED IN RELATION TO SAMSUNG PRODUCTS,

AND IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE.

NOTHING IN THIS DOCUMENT SHALL BE CONSTRUED AS GRANTING ANY LICENSE,

EXPRESS OR IMPLIED, BY ESTOPPEL OR OTHERWISE,

TO ANY INTELLECTUAL PROPERTY RIGHTS IN SAMSUNG PRODUCTS OR TECHNOLOGY. ALL

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ON AS "AS IS" BASIS WITHOUT GUARANTEE OR WARRANTY OF ANY KIND.

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* Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.

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Rev. 1.9 March 2007

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