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K4T51083QB-ZCD5

更新时间： 2024-11-26 22:07:39

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三星 - SAMSUNG		存储内存集成电路动态存储器双倍数据速率时钟
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512Mb B-die DDR2 SDRAM

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K4T51083QB-ZCD5 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	FBGA, BGA60,9X11,32
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	0.5 ns
最大时钟频率 (fCLK)：	267 MHz	I/O 类型：	COMMON
交错的突发长度：	4,8	JESD-30 代码：	R-PBGA-B60
内存密度：	536870912 bit	内存集成电路类型：	DDR DRAM
内存宽度：	8	湿度敏感等级：	3
端子数量：	60	字数：	67108864 words
字数代码：	64000000	最高工作温度：	95 °C
最低工作温度：		组织：	64MX8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	FBGA	封装等效代码：	BGA60,9X11,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	1.8 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	8192
连续突发长度：	4,8	最大待机电流：	0.008 A
子类别：	DRAMs	标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	OTHER	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

K4T51083QB-ZCD5 数据手册

DDR2 SDRAM

512Mb B-die DDR2 SDRAM

512Mb B-die DDR2 SDRAM Specification

Version 1.5

July 2005

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AND IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE.

NOTHING IN THIS DOCUMENT SHALL BE CONSTRUED AS GRANTING ANY LICENSE,

EXPRESS OR IMPLIED, BY ESTOPPEL OR OTHERWISE,

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* Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.

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Rev. 1.5 July 2005

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K4T51083QB-ZCD50	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 64MX8, 0.5ns, CMOS, PBGA60, ROHS COMPLIANT, FBGA-60
K4T51083QC	SAMSUNG	获取价格	512Mb C-die DDR2 SDRAM
K4T51083QC-ZCCC	SAMSUNG	获取价格	512Mb C-die DDR2 SDRAM
K4T51083QC-ZCCC0	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 64MX8, 0.6ns, CMOS, PBGA60, ROHS COMPLIANT, FBGA-60
K4T51083QC-ZCCCT	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 64MX8, 0.6ns, CMOS, PBGA60
K4T51083QC-ZCD5	SAMSUNG	获取价格	512Mb C-die DDR2 SDRAM
K4T51083QC-ZCD50	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 64MX8, 0.5ns, CMOS, PBGA60, ROHS COMPLIANT, FBGA-60
K4T51083QC-ZCD5T	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 64MX8, 0.5ns, CMOS, PBGA60
K4T51083QC-ZCD6	SAMSUNG	获取价格	512Mb C-die DDR2 SDRAM
K4T51083QC-ZCD60	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 64MX8, 0.45ns, CMOS, PBGA60, ROHS COMPLIANT, FBGA-60

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