Datasheet > K4T1G084QC-ZCE60

K4T1G084QC-ZCE60

更新时间： 2024-11-11 15:36:03

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		时钟动态存储器双倍数据速率内存集成电路
页数	文件大小	规格书
26页	486K
描述
DDR DRAM, 128MX8, 0.45ns, CMOS, PBGA60, ROHS COMPLIANT, FBGA-60

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

K4T1G084QC-ZCE60 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	TFBGA, BGA60,9X11,32
针数：	60	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.32
风险等级：	5.19	访问模式：	MULTI BANK PAGE BURST
最长访问时间：	0.45 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：	333 MHz	I/O 类型：	COMMON
交错的突发长度：	4,8	JESD-30 代码：	R-PBGA-B60
长度：	11.5 mm	内存密度：	1073741824 bit
内存集成电路类型：	DDR DRAM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	60	字数：	134217728 words
字数代码：	128000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	95 °C	最低工作温度：
组织：	128MX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TFBGA
封装等效代码：	BGA60,9X11,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	1.8 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	8192	座面最大高度：	1.2 mm
自我刷新：	YES	连续突发长度：	4,8
子类别：	DRAMs	最大供电电压 (Vsup)：	1.9 V
最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	OTHER	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	11 mm
Base Number Matches：	1

K4T1G084QC-ZCE60 数据手册

K4T1G044QC

K4T1G084QC

DDR2 SDRAM

1Gb C-die DDR2 SDRAM Specification

60FBGA & 84FBGA with Pb-Free

(RoHS compliant)

INFORMATION IN THIS DOCUMENT IS PROVIDED IN RELATION TO SAMSUNG PRODUCTS,

AND IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE.

NOTHING IN THIS DOCUMENT SHALL BE CONSTRUED AS GRANTING ANY LICENSE,

EXPRESS OR IMPLIED, BY ESTOPPEL OR OTHERWISE,

TO ANY INTELLECTUAL PROPERTY RIGHTS IN SAMSUNG PRODUCTS OR TECHNOLOGY. ALL

INFORMATION IN THIS DOCUMENT IS PROVIDED

ON AS "AS IS" BASIS WITHOUT GUARANTEE OR WARRANTY OF ANY KIND.

1. For updates or additional information about Samsung products, contact your nearest Samsung office.

2. Samsung products are not intended for use in life support, critical care, medical, safety equipment, or similar

applications where Product failure couldresult in loss of life or personal or physical harm, or any military or

defense application, or any governmental procurement to which special terms or provisions may apply.

* Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.

Rev. 1.1 June 2007

1 of 26

12 3 4 5 6 7...26

中文翻译

下载PDF

与K4T1G084QC-ZCE60相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K4T1G084QC-ZCF70	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 128MX8, 0.4ns, CMOS, PBGA60, ROHS COMPLIANT, FBGA-60
K4T1G084QC-ZCLD5	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 128MX8, 0.5ns, CMOS, PBGA60, ROHS COMPLIANT, FBGA-60
K4T1G084QC-ZCLF7	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 128MX8, 0.4ns, CMOS, PBGA60, ROHS COMPLIANT, FBGA-60
K4T1G084QD	SAMSUNG	获取价格	1Gb D-die DDR2 SDRAM Specification
K4T1G084QD-ZCCC	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 128MX8, 0.6ns, CMOS, PBGA60
K4T1G084QD-ZCCC0	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 128MX8, 0.6ns, CMOS, PBGA60, FBGA-60
K4T1G084QD-ZCCCT	SAMSUNG	获取价格	暂无描述
K4T1G084QD-ZCD5	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 128MX8, 0.5ns, CMOS, PBGA60
K4T1G084QD-ZCD50	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 128MX8, 0.5ns, CMOS, PBGA60, FBGA-60
K4T1G084QD-ZCD5T	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 128MX8, 0.5ns, CMOS, PBGA60

与K4T1G084QC-ZCE60相关文章

国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

23
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

7
AMD宣布全球裁员约1000人，调整战略聚焦增长
2024-11-14

8
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

31

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

K4T1G084QC-ZCE60

K4T1G084QC-ZCE60 技术参数

K4T1G084QC-ZCE60 数据手册

与K4T1G084QC-ZCE60相关器件

与K4T1G084QC-ZCE60相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

K4T1G084QC-ZCE60

K4T1G084QC-ZCE60 技术参数

K4T1G084QC-ZCE60 数据手册

与K4T1G084QC-ZCE60相关器件

与K4T1G084QC-ZCE60相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？