5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | BGA | 包装说明： | TFBGA, BGA68,9X19,32 |
| 针数： | 68 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.32 |
| 风险等级： | 5.84 | 访问模式： | MULTI BANK PAGE BURST |
| 最长访问时间： | 0.6 ns | 其他特性： | AUTO/SELF REFRESH |
| 最大时钟频率 (fCLK)： | 200 MHz | I/O 类型： | COMMON |
| 交错的突发长度： | 4,8 | JESD-30 代码： | R-PBGA-B68 |
| JESD-609代码： | e1 | 长度： | 18 mm |
| 内存密度： | 1073741824 bit | 内存集成电路类型： | DDR DRAM |
| 内存宽度： | 4 | 湿度敏感等级： | 3 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 68 | 字数： | 268435456 words |
| 字数代码： | 256000000 | 工作模式： | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 256MX4 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | TFBGA |
| 封装等效代码： | BGA68,9X19,32 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 电源： | 1.8 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 刷新周期： | 8192 | 座面最大高度： | 1.2 mm |
| 自我刷新： | YES | 连续突发长度： | 4,8 |
| 子类别： | DRAMs | 最大供电电压 (Vsup)： | 1.9 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 1.7 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 1.8 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | OTHER | 端子面层： | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
| 端子形式： | BALL | 端子节距： | 0.8 mm |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 宽度： | 11 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| K4T1G044QA-ZCCCT | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 256MX4, 0.6ns, CMOS, PBGA68 |
|
| K4T1G044QA-ZCD5 | SAMSUNG |
获取价格 |
1Gb A-die DDR2 SDRAM Specification |
|
| K4T1G044QA-ZCD50 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 256MX4, 0.5ns, CMOS, PBGA68, ROHS COMPLIANT, FBGA-68 |
|
| K4T1G044QA-ZCE6 | SAMSUNG |
获取价格 |
1Gb A-die DDR2 SDRAM Specification |
|
| K4T1G044QA-ZCE60 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 256MX4, 0.45ns, CMOS, PBGA68, ROHS COMPLIANT, FBGA-68 |
|
| K4T1G044QA-ZCE6T | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 256MX4, 0.45ns, CMOS, PBGA68 |
|
| K4T1G044QC | SAMSUNG |
获取价格 |
1Gb C-die DDR2 SDRAM Specification |
|
| K4T1G044QC-ZCLF7 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 256MX4, 0.4ns, CMOS, PBGA60, ROHS COMPLIANT, FBGA-60 |
|
| K4T1G044QE | SAMSUNG |
获取价格 |
1Gb E-die DDR2 SDRAM |
|
| K4T1G044QE-HCE70 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 256MX4, 0.4ns, CMOS, PBGA60, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-60 |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
