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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | BGA |
| 包装说明： | TFBGA, | 针数： | 60 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.32 | 风险等级： | 5.84 |
| 访问模式： | MULTI BANK PAGE BURST | 最长访问时间： | 0.4 ns |
| 其他特性： | AUTO/SELF REFRESH | JESD-30 代码： | R-PBGA-B60 |
| 长度： | 11.5 mm | 内存密度： | 1073741824 bit |
| 内存集成电路类型： | DDR DRAM | 内存宽度： | 4 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 60 | 字数： | 268435456 words |
| 字数代码： | 256000000 | 工作模式： | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 95 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 256MX4 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | TFBGA | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 1.2 mm | 自我刷新： | YES |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 1.9 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 1.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 1.8 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | OTHER |
| 端子形式： | BALL | 端子节距： | 0.8 mm |
| 端子位置： | BOTTOM | 宽度： | 11 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| K4T1G044QE | SAMSUNG |
获取价格 |
1Gb E-die DDR2 SDRAM |
|
| K4T1G044QE-HCE70 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 256MX4, 0.4ns, CMOS, PBGA60, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-60 |
|
| K4T1G044QE-HCF7 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 256MX4, 0.4ns, CMOS, PBGA60, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-60 |
|
| K4T1G044QE-HCLE6 | SAMSUNG |
获取价格 |
1Gb E-die DDR2 SDRAM |
|
| K4T1G044QE-HCLE7 | SAMSUNG |
获取价格 |
1Gb E-die DDR2 SDRAM |
|
| K4T1G044QE-HCLF7 | SAMSUNG |
获取价格 |
1Gb E-die DDR2 SDRAM |
|
| K4T1G044QE-HLE6 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 256MX4, 0.45ns, CMOS, PBGA60, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-60 |
|
| K4T1G044QF | SAMSUNG |
获取价格 |
1Gb F-die DDR2 SDRAM |
|
| K4T1G044QF-BCE6 | SAMSUNG |
获取价格 |
1Gb F-die DDR2 SDRAM |
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| K4T1G044QF-BCE7 | SAMSUNG |
获取价格 |
1Gb F-die DDR2 SDRAM |
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